α-Ga2O3単結晶、α-Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-192199
公開番号（公開出願番号）：特開2019-048766
出願日： 2018年10月11日
公開日（公表日）： 2019年03月28日
要約：

【課題】半導体素子に適用可能なα-Ga2O3単結晶、α-Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子を提供すること。【解決手段】本発明によるα-Ga2O3単結晶は、カーボン濃度が6×1017cm-3以下に制御されている。本発明によるα-Ga2O3を製造する方法は、ハライド気相成長法により基板上にα-Ga2O3を成長するステップと、基板を除去するステップと、成長するステップで得られたα-Ga2O3を基板として、ハライド気相成長法によりα-Ga2O3上にα-Ga2O3をさらに成長するステップとを包含する。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

カーボン濃度は、6×1017cm-3未満である、α-Ga2O3単結晶。

IPC (9件)：

C30B 29/16 , C30B 25/02 , C23C 16/40 , C23C 16/14 , H01L 29/24 , H01L 29/786 , H01L 33/32 , H01L 31/108 , H01L 21/365

FI (9件)：

C30B29/16 , C30B25/02 Z , C23C16/40 , C23C16/14 , H01L29/24 , H01L29/78 618B , H01L33/32 , H01L31/10 C , H01L21/365

Fターム (86件)：

4G077AA02 , 4G077AB01 , 4G077AB04 , 4G077BB10 , 4G077DB05 , 4G077FJ03 , 4G077HA12 , 4G077TB04 , 4G077TK11 , 4K030AA03 , 4K030AA14 , 4K030AA18 , 4K030BA08 , 4K030BA42 , 4K030BB02 , 4K030CA05 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 4K030JA01 , 4K030LA12 , 4K030LA15 , 5F045AA03 , 5F045AB40 , 5F045AC00 , 5F045AC02 , 5F045AC11 , 5F045AC14 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045AC19 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AE01 , 5F045AE29 , 5F045AF01 , 5F045AF09 , 5F045BB14 , 5F045CA09 , 5F045CA13 , 5F045DA59 , 5F045DA62 , 5F045DA63 , 5F045DP07 , 5F045DQ06 , 5F045DQ08 , 5F045EK06 , 5F110BB09 , 5F110CC02 , 5F110DD04 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG12 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG24 , 5F110GG44 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F241AA41 , 5F241CA46 , 5F241CA64 , 5F849AA05 , 5F849AB01 , 5F849CB03 , 5F849FA05 , 5F849GA02 , 5F849LA03 , 5F849XB20 , 5F849XB39

引用特許：

審査官引用 (2件)

結晶成長用基板、結晶性積層構造体およびそれらの製造方法ならびにエピタキシャル成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2014-239391 出願人：株式会社FLOSFIA
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2014-149314 出願人：株式会社FLOSFIA

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