特許
J-GLOBAL ID：201903004021850347
フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びマスクパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人英明国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-021469
公開番号（公開出願番号）：特開2016-167052
特許番号：特許第6601245号
出願日： 2016年02月08日
公開日（公表日）： 2016年09月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 被転写物上に、波長200nm以下の露光光を用いてパターンを形成するフォトリソグラフィに用いる透過型フォトマスクを製造するためのフォトマスクブランクであって、
透明基板と、
該透明基板上に形成され、塩素ガスと酸素ガスとの混合ガスによる塩素酸素系ドライエッチングでエッチングされ、かつフッ素を含有するガスによるフッ素系ドライエッチングに耐性を有する材料で構成された第1の膜と、
該第1の膜に接して形成され、ケイ素と酸素とからなり、かつ上記第1の膜をエッチングする上記塩素酸素系ドライエッチングでは実質的にエッチングされない材料で構成された第2の膜とを有し、該第2の膜が、Si-Si結合を有するケイ素と酸素との原子比O/Siが0.1以上1.9以下である材料で構成されていることを特徴とするフォトマスクブランク。
IPC (2件)：
G03F 1/26 ( 201 2.01)
, H01L 21/3065 ( 200 6.01)
G03F 1/26
, H01L 21/302 105 A
