特許
J-GLOBAL ID：201903006076985945

成膜装置及び成膜方法

発明者：
寺本 章伸

寺本 章伸 について

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諏訪 智之

諏訪 智之 について

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志波 良信

志波 良信 について

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清水 亮

清水 亮 について

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石井 勝利

石井 勝利 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について

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国立大学法人東北大学

国立大学法人東北大学 について


代理人 (2件)： 特許業務法人弥生特許事務所 ,  井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-172348
公開番号（公開出願番号）：特開2019-049016
出願日： 2017年09月07日
公開日（公表日）： 2019年03月28日
要約：
【課題】ウエハへのダメージを抑え、低温で高品質なシリコン窒化膜を成膜する技術を提供すること。【解決手段】処理容器1内に載置されたウエハWにSi2H6ガスと、NH3ガスとを供給して、SiN膜を成膜するにあたって、NH3ガスに対して、Si2H6ガスと反応する前に紫外線を照射するリモート紫外線照射を行い処理容器1内に供給している。そのため活性化したNH3ガスとSi2H6ガスとにより、低い加熱温度でウエハWに高品質のシリコン窒化膜を成膜することができる。 さらに処理容器1内に導入される前のNH3ガスに紫外線を照射するリモート紫外線処理としているため、ウエハWに紫外線が照射されず、ウエハWのダメージを抑えることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
シリコンを含む原料ガスと窒素を含む反応ガスとを反応させて基板上にシリコン窒化膜を成膜するための装置において、 真空雰囲気を形成するための処理容器と、 前記処理容器内に設けられた基板の載置部と、 前記処理容器内に原料ガスを供給するための原料ガス供給部と、 前記処理容器内に窒素を含むガスを供給するための反応ガス供給部と、 前記反応ガスが前記原料ガスと反応する前に当該反応ガスを励起するための紫外線照射部と、を備え、 前記紫外線照射部の紫外線が前記載置部上の基板に照射されないように構成されていることを特徴とする成膜装置。
IPC (4件)：
C23C 16/452 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/318
FI (4件)：
C23C16/452 ,  C23C16/42 ,  H01L21/31 B ,  H01L21/318 B
Fターム (48件)：
4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA08 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4K030KA37 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AA15 ,  5F045AB33 ,  5F045AC00 ,  5F045AC01 ,  5F045AC05 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD04 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AE21 ,  5F045BB07 ,  5F045DC62 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EC03 ,  5F045EE08 ,  5F045EE13 ,  5F045EE17 ,  5F045EF05 ,  5F045EK07 ,  5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BD10 ,  5F058BF04 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BF27 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BG02
引用特許：
審査官引用 (3件)

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