特許
J-GLOBAL ID：201903006532090998

表示装置、及び電子機器

発明者：
保坂 泰靖

保坂 泰靖 について

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島 行徳

島 行徳 について

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岡崎 健一

岡崎 健一 について

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山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-221897
公開番号（公開出願番号）：特開2019-061261
出願日： 2018年11月28日
公開日（公表日）： 2019年04月18日
要約：
【課題】画素領域及び駆動回路領域にトランジスタを有する表示装置において、電気特性の変動を抑制すると共に、信頼性を向上させる。【解決手段】画素領域142の外側に隣接し、画素領域の各画素に含まれる第1のトランジスタ101に信号を供給する少なくとも一つの第2のトランジスタ103を含む駆動回路領域140が形成された第1の基板102と、第1の基板と対向するように設けられた第2の基板152と、第1の基板と第2の基板間に挟持された液晶層162と、を有し、第1のトランジスタ及び第2のトランジスタ上に無機絶縁材料で形成された第1の層間絶縁膜114と、第1の層間絶縁膜上に有機絶縁材料で形成された第2の層間絶縁膜116と、第2の層間絶縁膜上に無機絶縁材料で形成された第3の層間絶縁膜120と、を有し、第3の層間絶縁膜は、画素領域上の一部に設けられ、該第3の層間絶縁膜の端部が駆動回路領域よりも内側に形成される。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
画素部と、駆動回路部と、を有し、 前記画素部は、 第1のトランジスタと、 前記第1のトランジスタ上の第1の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜上の第2の絶縁膜と、 前記第2の絶縁膜上の第1の電極と、 前記第2の絶縁膜上及び前記第1の電極上の第3の絶縁膜と、 前記第3の絶縁膜上の第2の電極と、 を有し、 前記駆動回路部は、 第2のトランジスタと、 前記第2のトランジスタ上の前記第1の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜上の前記第2の絶縁膜と、 を、有し、 前記第2の電極は、前記第1のトランジスタと電気的に接続され、 前記第3の絶縁膜は、前記第2の絶縁膜に設けられた第1の開口に設けられ、 前記第1の絶縁膜は、無機絶縁材料を含み、 前記第2の絶縁膜は、有機絶縁材料を含み、 前記第3の絶縁膜は、無機絶縁材料を含み、 前記第1の開口の端部は、前記第3の絶縁膜と重なる表示装置。
IPC (3件)：
G09F 9/30 ,  G02F 1/136 ,  G02F 1/134
FI (4件)：
G09F9/30 348A ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1345 ,  G09F9/30 338
Fターム (45件)：
2H092GA17 ,  2H092GA43 ,  2H092GA50 ,  2H092GA59 ,  2H092GA60 ,  2H092HA04 ,  2H092JA26 ,  2H092JA28 ,  2H092JA40 ,  2H092JA46 ,  2H092JB57 ,  2H092JB58 ,  2H092JB69 ,  2H092KA08 ,  2H092MA05 ,  2H192AA24 ,  2H192BC31 ,  2H192CB05 ,  2H192CB37 ,  2H192CB56 ,  2H192CC04 ,  2H192CC32 ,  2H192EA22 ,  2H192EA43 ,  2H192EA67 ,  2H192EA74 ,  2H192FA65 ,  2H192FA73 ,  2H192FA76 ,  2H192FB02 ,  2H192FB33 ,  5C094AA21 ,  5C094AA38 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA15 ,  5C094ED15 ,  5C094FA02 ,  5C094FB01 ,  5C094FB02 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094HA08
引用特許：
審査官引用 (3件)

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