特許

J-GLOBAL ID：201903007096505130

III族窒化物材料の平坦な表面の形成

発明者： オールソン,ヨナス ,  サミュエルソン,ラース ,  ビー,ツァオシャ ,  キエコンスキ,ラファル ,  ストーム,クリスティアン
出願人/特許権者： ヘキサジェム アーベー
代理人 (4件)： 大野 聖二 ,  森田 耕司 ,  片山 健一 ,  津田 理
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-551279
公開番号（公開出願番号）：特表2019-515860
出願日： 2017年04月03日
公開日（公表日）： 2019年06月13日
要約：

半導体デバイスを製作する方法であって、基板の上に設けられたマスクを通して第1のIII族窒化物材料の複数の半導体シードを形成するステップと、第2のIII族窒化物半導体材料をシード上で成長させるステップと、複数の離散的なベース要素から密着構造を形成するために成長させた第2の半導体材料を平坦化するステップであって、密着構造は、実質的に平坦な上部表面を有する、ステップとを含む方法。

請求項（抜粋）：

半導体デバイスを製作する方法であって、 基板の上に設けられたマスクを通して第1のIII族窒化物材料の複数の半導体シードを形成するステップと、 第2のIII族窒化物半導体材料を前記シード上で成長させるステップと、 前記複数の離散的なベース要素から密着構造を形成するために前記成長させた第2の半導体材料を平坦化するステップであって、前記密着構造は、実質的に平坦な上部表面を有する、ステップと を含む方法。

IPC (7件)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/04 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/04 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/20 ,  H01L 29/06

FI (8件)：

C30B29/38 D ,  C30B25/04 ,  C23C16/34 ,  C23C16/04 ,  H01L21/205 ,  H01L29/20 ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/06 601L

Fターム (42件)：

4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077EE07 ,  4G077EF01 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TC12 ,  4G077TK08 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB14 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030LA14 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC12 ,  5F045AD11 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AD18 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB01 ,  5F045BB12 ,  5F045CA05 ,  5F045CA07 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DB05

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 窒化ガリウムナノワイヤに基づくエレクトロニクス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2014-556149   出願人：クナノ・アーベー
• マスクを通るラテラル成長による窒化ガリウム基板の製造とそれから製作されたデバイス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2006-530713   出願人：ルミログ

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Wafer-scale selective area growth of GaN hexagonal prismatic nanostructures on c-sapphire substrate