特許
J-GLOBAL ID：200903078066919794
マスクを通るラテラル成長による窒化ガリウム基板の製造とそれから製作されたデバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
広瀬 章一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-530713
公開番号（公開出願番号）：特表2007-502546
出願日： 2004年05月18日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：
多段を用いたエピタキシャルラテラルオーバーグロースにより窒化ガリウム基板の成長を行う。開口部領域を有するマスクされた基板上で、選択的成長により最初に三角形ストライプを作成すると、大部分の貫通転位は90°曲がる。第2段では、成長条件を変化させてラテラル成長速度を高め、平坦な(0001)面を生じさせる。この段階で、表面上の転位密度は<5×107cm-2である。転位は主に、2つのラテラル成長したファセットがぶつかり合って合体した合体領域に存在する。転位密度をさらに低下させるため、2回目のマスキング工程を開口部が1回目のそれの真上にくるように行う。合体領域の貫通転位(TD)は上層には伝播しない。したがって、転位密度は全表面にわたって<1×107cm-2まで低下する。
請求項（抜粋）：
下記工程を含む窒化ガリウム(GaN)のエピタキシャル層の製造方法:
-基板上でのGaN層の堆積、
-パターンを形成する複数の第1の開口部を有する第1マスクの堆積、
-エピタキシャル条件下で該マスク上での窒化ガリウム層の1回目の再成長、
-窒化ガリウムフィーチャの堆積と該フィーチャの異方性かつラテラルな成長とを誘起するように、バーティカル成長に対するラテラル成長のエンハンサーとなるドープ剤を含有させた窒化ガリウムの2回目の再成長、
-第1の開口部の真上に第1の開口部と同じパターンを形成する複数の第2の開口部を有する第2マスクの堆積、ただし、第1の開口部パターンのピッチは第2の開口部のピッチと全く同一であるか、または2倍である、
-エピタキシャル条件下で第2マスク上での窒化ガリウム層の3回目の再成長、
-窒化ガリウムフィーチャの堆積と該フィーチャの異方性かつラテラルな成長とを誘起するように、バーティカル成長に対するラテラル成長のエンハンサーとなるドープ剤を含有させた窒化ガリウムの4回目の再成長。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (22件)：
5F152LL03
, 5F152LL05
, 5F152LL20
, 5F152LN03
, 5F152LN22
, 5F152LN32
, 5F152LN35
, 5F152LP06
, 5F152LP09
, 5F152MM09
, 5F152NN01
, 5F152NN03
, 5F152NN05
, 5F152NN07
, 5F152NN09
, 5F152NN12
, 5F152NN13
, 5F152NN27
, 5F152NP09
, 5F152NP13
, 5F152NP14
, 5F152NQ09
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (5件)
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