窒化ガリウムナノワイヤに基づくエレクトロニクス

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：大野聖二 , 森田耕司 , 片山健一 , 鈴木守 , 加藤真司 , 津田理
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-556149
公開番号（公開出願番号）：特表2015-512151
出願日： 2013年02月12日
公開日（公表日）： 2015年04月23日
要約：

パワーエレクトロニクス向けのダイオードおよびトランジスタなど、様々な半導体デバイスを製造するため、c面上面を有する高品質で離散的なベース要素を成長させるのにGaN系ナノワイヤが使用される。

請求項（抜粋）：

複数の半導体ナノワイヤを基板の上に形成するステップと、半導体体積要素を各ナノワイヤ上に形成するステップと、実質的に平坦な上面を有する複数の離散的なベース要素を形成するため、各体積要素を平坦化するステップと、前記複数のベース要素それぞれの中または上にデバイスを形成するステップとを含む、半導体デバイスを作成する方法。

IPC (17件)：

H01L 21/205 , H01L 21/20 , H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 27/095 , H01L 29/47 , H01L 29/872 , H01L 29/06 , H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 29/861 , H01L 29/868 , H01L 21/823 , H01L 27/06 , H01L 29/786 , H01L 27/088

FI (17件)：

H01L21/205 , H01L21/20 , H01L29/80 H , H01L29/80 E , H01L29/48 D , H01L29/06 601N , H01L29/78 301B , H01L29/78 301Y , H01L29/86 301D , H01L29/86 301F , H01L29/91 F , H01L27/06 102A , H01L29/78 618A , H01L29/78 618C , H01L29/78 618B , H01L29/06 301F , H01L27/08 102B

Fターム (102件)：

4M104AA04 , 4M104AA07 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104FF04 , 4M104GG02 , 4M104GG03 , 4M104GG04 , 4M104GG09 , 4M104GG18 , 5F045AA04 , 5F045AA08 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AF04 , 5F045AF20 , 5F045BB16 , 5F045CA07 , 5F045DA52 , 5F045EE12 , 5F048AC01 , 5F048AC10 , 5F048BA15 , 5F048BA16 , 5F048BB01 , 5F102GA01 , 5F102GA14 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102GR03 , 5F102GS03 , 5F102GS04 , 5F102GV05 , 5F102HC02 , 5F110AA01 , 5F110BB20 , 5F110CC01 , 5F110DD01 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD21 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110GG04 , 5F110GG12 , 5F110GG19 , 5F110GG22 , 5F110GG23 , 5F110GG42 , 5F140AA01 , 5F140AA29 , 5F140AB06 , 5F140AC02 , 5F140BA01 , 5F140BA06 , 5F140BA09 , 5F140BA16 , 5F140BA17 , 5F140BA20 , 5F140BB06 , 5F140BB18 , 5F140BC06 , 5F140BD05 , 5F140BD11 , 5F140BE09 , 5F140CE02 , 5F152LL03 , 5F152LL05 , 5F152LM02 , 5F152LM08 , 5F152LN28 , 5F152LN29 , 5F152LN35 , 5F152MM02 , 5F152MM04 , 5F152MM05 , 5F152MM10 , 5F152NN03 , 5F152NN09 , 5F152NN13 , 5F152NN19 , 5F152NP09 , 5F152NQ09

引用特許：

出願人引用 (8件)

半導体デバイスの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-054718 出願人：キヤノン株式会社
III族窒化物半導体基板材料及びデバイスにおけるGaNナノワイヤーのパルス状成長及び応用
公報種別：公表公報出願番号：特願2008-558549 出願人：エステイーシー.ユーエヌエム
ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-072487 出願人：株式会社デンソー

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審査官引用 (8件)

複数の窒化物ナノワイヤとその製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2009-545523 出願人：クナノアーベー
半導体デバイスの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-054718 出願人：キヤノン株式会社
III族窒化物半導体基板材料及びデバイスにおけるGaNナノワイヤーのパルス状成長及び応用
公報種別：公表公報出願番号：特願2008-558549 出願人：エステイーシー.ユーエヌエム

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