特許
J-GLOBAL ID：201903007291193690
めっき付パワーモジュール用基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 正和
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-053967
公開番号（公開出願番号）：特開2017-168731
特許番号：特許第6536442号
出願日： 2016年03月17日
公開日（公表日）： 2017年09月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 セラミックス基板の一方の面にアルミニウム回路層が形成され、前記セラミックス基板の他方の面に前記セラミックス基板より大きいヒートシンクが形成されてなるパワーモジュール用基板の前記アルミニウム回路層の上面に部分的な無電解めっき被膜が形成されためっき付パワーモジュール用基板を製造する方法であって、
前記アルミニウム回路層の上面のめっき不要領域に第1マスクを形成する第1マスキング工程と、
無電解めっき液に対する耐薬品性を有する有底筒状の弾性カバー部材の開口部内面と前記パワーモジュール用基板の側面とを密着させて、前記パワーモジュール用基板の上面側を前記開口部から露出させておき、前記弾性カバー部材を装着した前記パワーモジュール用基板を無電解めっき液中に浸漬して、前記パワーモジュール用基板の前記開口部から露出した部分であって前記めっき不要領域を除く部分に無電解めっき被膜を形成するめっき処理工程と、
前記アルミニウム回路層上面に形成された前記無電解めっき被膜の上面に第2マスクを形成して、前記第1マスクと前記第2マスクとにより前記無電解めっき被膜を覆う第2マスキング工程と、
前記パワーモジュール用基板の前記第1マスク及び前記第2マスクから露出した部分に形成された前記無電解めっき被膜を酸性エッチング液により除去するめっき除去工程と、
前記第1マスク及び前記第2マスクを前記アルミニウム回路層から剥離するマスク剥離工程とを有することを特徴とするめっき付パワーモジュール用基板の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 23/12 ( 200 6.01)
, C23C 18/18 ( 200 6.01)
, C23C 18/31 ( 200 6.01)
, C23F 1/02 ( 200 6.01)
, H05K 3/18 ( 200 6.01)
H01L 23/12 D
, H01L 23/12 Q
, C23C 18/18
, C23C 18/31 A
, C23F 1/02
, H05K 3/18 D
, H05K 3/18 J
