特許
J-GLOBAL ID：201503000397429664

金属-セラミックス回路基板の製造方法

発明者：
島津 昌弘

島津 昌弘 について

, 
小山内 英世

小山内 英世 について


出願人/特許権者：
DOWAメタルテック株式会社

DOWAメタルテック株式会社 について


代理人 (1件)： 大川 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-073255
公開番号（公開出願番号）：特開2015-195309
出願日： 2014年03月31日
公開日（公表日）： 2015年11月05日
要約：
【課題】セラミックス基板に接合された金属板上の所定の部分に精度よくめっきを施すことができるとともに製造コストを削減することができる、金属-セラミックス回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】セラミックス基板10の一方の面に接合した回路用金属板12と他方の面に接合したベース用金属板14の略全面を覆うようにレジスト16形成し、このレジスト16の所定の部分を除去して回路用金属板12の一部を露出させ、この回路用金属板12の露出した部分にめっき皮膜18を形成した後、このめっき皮膜18を覆うようにレジスト16を形成し、このレジスト16の所定の部分を除去して回路用金属板12とベース用金属板14の一部を露出させ、この回路用金属板12とベース用金属板14の露出した部分をエッチング処理により除去して金属回路板12と金属ベース板14を形成した後、レジスト16を剥離する。【選択図】図1G
請求項（抜粋）：
セラミックス基板に接合した金属板の略全面を覆うように第1のレジストを形成し、この第1のレジストの所定の部分を除去して金属板の一部を露出させ、この金属板の露出した部分にめっき皮膜を形成した後、このめっき皮膜を覆うように第2のレジストを形成し、第1レジストの所定の部分を除去して金属板の一部を露出させ、この金属板の露出した部分をエッチング処理により除去した後、第1および第2のレジストを剥離することを特徴とする、金属-セラミックス回路基板の製造方法。
IPC (7件)：
H01L 23/12 ,  H01L 23/36 ,  C25D 7/00 ,  C23C 18/32 ,  H05K 3/06 ,  H05K 3/24 ,  C04B 37/02
FI (8件)：
H01L23/12 D ,  H01L23/12 Q ,  H01L23/36 C ,  C25D7/00 J ,  C23C18/32 ,  H05K3/06 A ,  H05K3/24 A ,  C04B37/02 C
Fターム (59件)：
4G026BA01 ,  4G026BB21 ,  4G026BB27 ,  4G026BG10 ,  4G026BH07 ,  4K022AA02 ,  4K022AA42 ,  4K022BA14 ,  4K022BA16 ,  4K022CA08 ,  4K022CA26 ,  4K022DA01 ,  4K022EA03 ,  4K024AA03 ,  4K024AA10 ,  4K024AA11 ,  4K024AB01 ,  4K024AB02 ,  4K024AB08 ,  4K024BA06 ,  4K024BB11 ,  4K024FA07 ,  4K024FA08 ,  5E339AB06 ,  5E339AB07 ,  5E339AD03 ,  5E339BC03 ,  5E339BD08 ,  5E339BE11 ,  5E339CE19 ,  5E339CF06 ,  5E339CG02 ,  5E339DD03 ,  5E343AA02 ,  5E343AA23 ,  5E343BB16 ,  5E343BB23 ,  5E343BB25 ,  5E343BB28 ,  5E343BB44 ,  5E343BB52 ,  5E343BB67 ,  5E343BB71 ,  5E343CC62 ,  5E343DD32 ,  5E343DD76 ,  5E343ER12 ,  5E343ER18 ,  5E343GG08 ,  5E343GG11 ,  5F136BA04 ,  5F136BA06 ,  5F136BB04 ,  5F136DA27 ,  5F136FA02 ,  5F136FA12 ,  5F136FA41 ,  5F136FA75 ,  5F136GA21
引用特許：
出願人引用 (7件)
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