特許
J-GLOBAL ID：201903010240586833

有機光電子デバイス、そのようなデバイスのアレイ、およびそのようなアレイを製造するための方法

発明者：
ベンワディ,モハメッド

ベンワディ,モハメッド について

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シャルロ,シモン

シャルロ,シモン について

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ロラン,ジャン-イブ

ロラン,ジャン-イブ について

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ベリヤック,ジャン-マリー

ベリヤック,ジャン-マリー について

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ベルトッド,エムリーヌ

ベルトッド,エムリーヌ について

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ロール,ピエール

ロール,ピエール について


出願人/特許権者：
コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク・エ・オ・エネルジ・アルテルナテイブ

コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク・エ・オ・エネルジ・アルテルナテイブ について

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イソルグ

イソルグ について

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トリクセル

トリクセル について


代理人 (1件)： 特許業務法人川口國際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-533121
公開番号（公開出願番号）：特表2019-501531
出願日： 2016年12月21日
公開日（公表日）： 2019年01月17日
要約：
電気絶縁基板(2)上に配置される層の積層体を備える光電子デバイス(1)であって、仕事関数Φ1の材料から作られた少なくとも1つのカソード(3)と、上記カソード(3)の上に配置され、かつ仕事関数φ2およびシート抵抗Rの材料から作られる1つの電子捕集層(4)と、少なくとも1つのp型有機半導体であって、そのエネルギー準位がHO1である、少なくとも1つのp型有機半導体を備える1つの活性層(5)とを含む光電子デバイス(1)において、上記電子捕集層(3)の上記仕事関数φ2と上記活性層(5)の上記エネルギー準位HO1とが、上記カソード(3)から上記活性層(5)への正孔の注入を阻止し得るポテンシャル障壁を形成し、および上記電子捕集層(4)の上記シート抵抗Rが108Ω以上であることを特徴とする、光電子デバイス(1)。
請求項（抜粋）：
電気絶縁基板(2)上に配置されるプレーナ型薄層の積層体を備える光電子デバイス(1)であって、 - 仕事関数ΦCの材料から作られた1つのカソード(3)と、 - 前記カソード(3)の上に配置され、かつ仕事関数Φ1およびシート抵抗Rの材料から作られる1つの電子捕集層(4)と、 - 少なくとも1つのp型有機半導体であって、その最高被占分子軌道のエネルギー準位がHO1である、少なくとも1つのp型有機半導体と、n型半導体とを備える1つの活性層(5)であって、光の放出または検出に適し、かつ前記電子捕集層(4)の上に配置される1つの活性層(5)と、 - 前記活性層(5)の上に配置される1つの正孔捕集層(6)と、 - 前記正孔捕集層(6)の上に配置される1つのアノード(7)と を少なくとも含む光電子デバイス(1)において、 - 前記電子捕集層(4)の前記仕事関数Φ1と前記活性層(5)の前記エネルギー準位HO1とが、前記カソード(3)から前記活性層(5)への正孔の注入を阻止し得るポテンシャル障壁を形成し、および - 前記電子捕集層(4)の前記シート抵抗Rが108Ω以上であることを特徴とする、光電子デバイス(1)。
IPC (1件)：
H01L 51/42
FI (1件)：
H01L31/08 T
Fターム (16件)：
5F849AA01 ,  5F849AB11 ,  5F849BA05 ,  5F849BA10 ,  5F849BA28 ,  5F849BB03 ,  5F849BB07 ,  5F849BB08 ,  5F849CB05 ,  5F849EA04 ,  5F849FA04 ,  5F849FA05 ,  5F849FA16 ,  5F849GA02 ,  5F849LA07 ,  5F849XA23
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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