特許

J-GLOBAL ID：201903010832327032

半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム

発明者： 橋本 良知 ,  高澤 裕真 ,  永戸 雅也
出願人/特許権者： 株式会社KOKUSAI ELECTRIC
代理人 (2件)： 福岡 昌浩 ,  阿仁屋 節雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-048126
公開番号（公開出願番号）：特開2017-163078
特許番号：特許第6594804号
出願日： 2016年03月11日
公開日（公表日）： 2017年09月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 基板上に、シリコン、酸素、炭素、および窒素を含み、窒素濃度が炭素濃度、シリコン濃度および酸素濃度よりも低い第1の膜を形成する工程と、 少なくともシリコンおよび窒素を含み、前記第1の膜よりも酸化耐性が高い膜であって、前記第1の膜よりも酸素濃度が低く窒素濃度および炭素濃度が高いか、もしくは、前記第1の膜よりも酸素濃度および炭素濃度が低い第2の膜を、前記第1の膜の最表面上に、前記第1の膜よりも薄く形成する工程と、 を有する半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/318 ( 200 6.01) ,  H01L 21/31 ( 200 6.01) ,  C23C 16/52 ( 200 6.01) ,  C23C 16/42 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 21/318 M ,  H01L 21/318 C ,  H01L 21/31 B ,  C23C 16/52 ,  C23C 16/42

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-395405   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-310953   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-165158   出願人：株式会社日立国際電気
• 成膜方法及び成膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-013825   出願人：東京エレクトロン株式会社