特許
J-GLOBAL ID：201903011388104869
エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法及びエピタキシャルシリコンウェーハ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
杉村 憲司
, 杉村 光嗣
, 川原 敬祐
, 山口 雄輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-032266
公開番号（公開出願番号）：特開2019-149416
出願日： 2018年02月26日
公開日（公表日）： 2019年09月05日
要約：
【課題】ゲッタリング能力を向上でき、析出物起因のバルク欠陥を抑制できる、n+基板を備えたエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法及びゲッタリング能力を向上させ、析出物起因のバルク欠陥を抑制した、n+基板を備えたエピタキシャルシリコンウェーハを提供する。【解決手段】n型ドーパントのドーパント濃度が1.0×1019atoms/cm3以上のシリコンウェーハを、不活性なガス雰囲気下にて、900〜1300°Cの熱処理温度で、1〜300secで熱処理し、エピタキシャル層を成長させる。エピタキシャル層のドーパント濃度は、1.0×1019atoms/cm3未満。エピタキシャルシリコンウェーハは、シリコンウェーハ上にエピタキシャル層を有し、シリコンウェーハのn型ドーパントのドーパント濃度は、1.0×1019atoms/cm3以上、エピタキシャル層のドーパント濃度は、1.0×1019atoms/cm3未満。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
n型ドーパントのドーパント濃度が1.0×1019atoms/cm3以上のシリコンウェーハを準備する、シリコンウェーハ準備工程と、
前記シリコンウェーハを、該シリコンウェーハの酸化に対して不活性なガス雰囲気下にて、900〜1300°Cの熱処理温度で、1〜300secの熱処理時間で熱処理を行う、急速熱アニーリング工程と、
前記急速熱アニーリング工程を行った後の前記シリコンウェーハ上に、エピタキシャル層を成長させる、エピタキシャル成長工程と、を含み、
前記エピタキシャル層のドーパント濃度は、1.0×1019atoms/cm3未満であることを特徴とする、エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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