特許
J-GLOBAL ID：200903011797503808
不純物イオン注入層の電気的活性化方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-290694
公開番号（公開出願番号）：特開2008-108925
出願日： 2006年10月26日
公開日（公表日）： 2008年05月08日
要約：
【課題】本発明は、電気的に活性なホウ素イオン注入層を有し、且つ、電気伝導を好適に制御できるダイヤモンド半導体を得るための電気的活性化方法を提供する。【解決手段】ホウ素イオンをイオン注入することにより形成されたホウ素イオン注入層を有するダイヤモンド基板を熱処理することにより、該注入層を電気的に活性化する方法であって、(1)該注入層におけるホウ素イオンの濃度が1×1015〜1×1019cm-3であり、(2)該ダイヤモンド基板を、1600°C以上で熱処理する、ホウ素イオン注入層の電気的活性化方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
ホウ素イオンをイオン注入することにより形成されたホウ素イオン注入層を有するダイヤモンド基板を熱処理することにより、該注入層を電気的に活性化する方法であって、
(1)該注入層におけるホウ素イオンの濃度が1×1015〜1×1019cm-3であり、
(2)該ダイヤモンド基板を、1600°C以上で熱処理する、
ホウ素イオン注入層の電気的活性化方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/265 Z
, H01L21/265 602A
