特許
J-GLOBAL ID：201903011907542801
炭化珪素半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人深見特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-021266
公開番号（公開出願番号）：特開2018-101796
特許番号：特許第6535773号
出願日： 2018年02月08日
公開日（公表日）： 2018年06月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1の主面と、前記第1の主面と反対側の第2の主面とを有する炭化珪素基板と、
前記炭化珪素基板の前記第1の主面に接して設けられたゲート絶縁膜と、
前記炭化珪素基板との間に前記ゲート絶縁膜を挟むように前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、
前記炭化珪素基板の前記第1の主面に接するソース電極とを備え、
前記ゲート絶縁膜と前記ゲート電極との界面を第1の界面とし、前記ゲート絶縁膜と前記炭化珪素基板との界面のうち、前記第1の界面と対向する領域を第2の界面とした場合、前記第1の界面の法線方向に沿って前記第1の界面から前記ゲート絶縁膜の厚みだけ前記ゲート電極側に離れた第1仮想面と、前記第2の界面の法線方向に沿って前記第2の界面から前記ゲート絶縁膜の厚みだけ前記炭化珪素基板側に離れた第2仮想面とに挟まれた界面領域に含まれるナトリウムの総数を前記第1の界面の面積で除した値は、5×1010atoms/cm2以下であり、
前記ゲート電極の前記第2の界面とは反対側の第3の主面を覆い、かつ前記ゲート絶縁膜に接して設けられた層間絶縁膜をさらに備え、
前記ゲート電極の前記第2の界面とは反対側の第3の主面から10nm以内の領域におけるナトリウム濃度の最大値は、前記界面領域におけるナトリウム濃度の最大値よりも大きく、
前記界面領域におけるナトリウム濃度の最大値は、1×1016atoms/cm3以下である、炭化珪素半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 29/12 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 21/66 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 21/20 ( 200 6.01)
, H01L 21/265 ( 200 6.01)
, H01L 21/324 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
H01L 29/78 652 T
, H01L 21/66 V
, H01L 29/78 658 F
, H01L 29/78 658 Z
, H01L 29/78 658 J
, H01L 29/78 652 K
, H01L 21/20
, H01L 21/265 Z
, H01L 21/265 602 A
, H01L 21/324 Z
, H01L 21/28 301 S
, H01L 21/28 301 B
, H01L 21/28 B
