気相成長装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-183987
公開番号（公開出願番号）：特開2019-059636
出願日： 2017年09月25日
公開日（公表日）： 2019年04月18日
要約：

【課題】化合物半導体の気相成長装置に関する技術の提供。【解決手段】気相成長装置1は、反応容器10と、反応容器内に配置されていて、ウェハ13表面が略鉛直下向きになるようにウェハを保持するウェハ保持面12aを備えたウェハホルダ11と、第1原料ガスG1を反応容器内に供給する、ウェハ保持面の下方側に配置されている第1原料ガス供給管21と、第2原料ガスG2を反応容器内に供給する、ウェハ保持面の下方側に配置されている第2原料ガス供給管22と、ウェハ保持面の下方側に配置されているガス排気管23と、を備え、第1原料ガス供給管、第2原料ガス供給管、及びガス排気管は、略鉛直方向へ伸びるように配置されており、ウェハ保持面の中心を通りウェハ保持面に垂直な軸線A1とガス排気管との距離が、軸線と第1原料ガス供給管及び第2原料ガス供給管との距離よりも大きい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

反応容器と、前記反応容器内に配置されているウェハホルダであって、ウェハ表面が略鉛直下向きになるようにウェハを保持するウェハ保持面を備えた前記ウェハホルダと、第1原料ガスを前記反応容器内に供給する第1原料ガス供給管であって、前記ウェハ保持面の下方側に配置されている前記第1原料ガス供給管と、前記第1原料ガスと反応する第2原料ガスを前記反応容器内に供給する第2原料ガス供給管であって、前記ウェハ保持面の下方側に配置されている前記第2原料ガス供給管と、前記反応容器内のガスを排気するガス排気管であって、前記ウェハ保持面の下方側に配置されている前記ガス排気管と、を備え、前記第1原料ガス供給管、前記第2原料ガス供給管、および前記ガス排気管は、略鉛直方向へ伸びるように配置されており、前記ウェハ保持面の中心を通り前記ウェハ保持面に垂直な軸線と前記ガス排気管との距離が、前記軸線と前記第1原料ガス供給管および前記第2原料ガス供給管との距離よりも大きいことを特徴とする、化合物半導体の気相成長装置。

IPC (4件)：

C30B 25/14 , C30B 29/38 , C23C 16/455 , H01L 21/31

FI (4件)：

C30B25/14 , C30B29/38 D , C23C16/455 , H01L21/31 B

Fターム (45件)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB05 , 4G077DB08 , 4G077EG23 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TB03 , 4G077TB05 , 4G077TG06 , 4G077TH11 , 4G077TH13 , 4K030AA03 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA06 , 4K030EA11 , 4K030FA10 , 4K030GA06 , 4K030JA03 , 4K030KA12 , 4K030KA22 , 4K030KA46 , 5F045AA03 , 5F045AA04 , 5F045AB10 , 5F045AB14 , 5F045AC03 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045AE21 , 5F045BB11 , 5F045DP05 , 5F045DP28 , 5F045EF05 , 5F045EF11 , 5F045EK06 , 5F045EK22 , 5F045EM10

引用特許：

審査官引用 (6件)

高品質化合物半導体材料を製造するための成膜方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2007-518683 出願人：ワンナンワン
気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-113697 出願人：松下電器産業株式会社
炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-106328 出願人：株式会社デンソー

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