特許
J-GLOBAL ID：201903012922350834

トランジスタ

発明者：
遠藤 佑太

遠藤 佑太 について

, 
野田 耕生

野田 耕生 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-226789
公開番号（公開出願番号）：特開2019-047136
出願日： 2018年12月03日
公開日（公表日）： 2019年03月22日
要約：
【課題】安定した電気特性を有するトランジスタを提供する。または、非導通時の電流の小さいトランジスタを提供する。または、導通時の電流の大きいトランジスタを提供する。または、当該トランジスタを有する半導体装置を提供する。または、丈夫な半導体装置を提供する。【解決手段】過剰酸素を有する第1の絶縁体と、第1の絶縁体上の半導体と、半導体上の第2の絶縁体と、第2の絶縁体を介して半導体と重なる領域を有する導電体と、を有し、第1の絶縁体と半導体との間に、ホウ素またはリンを含む領域を有する半導体装置である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の絶縁体と、 前記第1の絶縁体上の酸化物半導体と、 前記酸化物半導体上のゲート絶縁体と、 前記ゲート絶縁体を介して前記酸化物半導体と重なる領域を有するゲート電極と、 前記ゲート電極上の第2の絶縁体と、 前記第2の絶縁体が有する開口部を介して、前記酸化物半導体と電気的に接続する導電体と、を有し、 前記酸化物半導体は、前記導電体の側面の一部と接し、 前記第1の絶縁体は、前記導電体の側面の一部と前記導電体の底面と接するトランジスタ。
IPC (14件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/105 ,  G02F 1/136
FI (13件)：
H01L29/78 616S ,  H01L29/78 618B ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 M ,  H01L29/58 G ,  H01L27/108 321 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/108 671C ,  H01L27/108 671Z ,  H01L29/78 371 ,  H01L29/50 J ,  H01L27/105 441 ,  G02F1/1368
Fターム (209件)：
2H192AA24 ,  2H192BA23 ,  2H192BC24 ,  2H192CB02 ,  2H192CB08 ,  2H192CB37 ,  2H192CB42 ,  2H192CB56 ,  2H192CB83 ,  2H192CC32 ,  2H192CC72 ,  2H192DA12 ,  2H192DA72 ,  2H192EA74 ,  2H192FB03 ,  2H192FB05 ,  2H192HA82 ,  2H192HA84 ,  2H192HA90 ,  2H192JA13 ,  4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104AA07 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB30 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD26 ,  4M104DD35 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD63 ,  4M104FF01 ,  4M104FF02 ,  4M104FF03 ,  4M104FF04 ,  4M104FF06 ,  4M104FF08 ,  4M104FF09 ,  4M104FF21 ,  4M104FF26 ,  4M104FF27 ,  4M104FF31 ,  4M104GG04 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG12 ,  4M104GG14 ,  4M104GG16 ,  4M104HH04 ,  4M104HH10 ,  4M104HH12 ,  4M104HH14 ,  5F083AD02 ,  5F083AD03 ,  5F083AD69 ,  5F083EP22 ,  5F083EP75 ,  5F083GA01 ,  5F083GA03 ,  5F083GA05 ,  5F083GA06 ,  5F083GA09 ,  5F083GA21 ,  5F083GA25 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083HA08 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA44 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR12 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR36 ,  5F083PR37 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA13 ,  5F083ZA14 ,  5F083ZA20 ,  5F101BA17 ,  5F101BB17 ,  5F101BD13 ,  5F101BD30 ,  5F101BD33 ,  5F101BD35 ,  5F101BD39 ,  5F101BD40 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BF01 ,  5F101BF02 ,  5F101BF03 ,  5F101BF08 ,  5F101BF09 ,  5F101BG09 ,  5F101BH03 ,  5F101BH09 ,  5F101BH16 ,  5F101BH26 ,  5F110AA06 ,  5F110AA07 ,  5F110BB01 ,  5F110BB04 ,  5F110BB05 ,  5F110BB20 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD08 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD21 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE30 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF12 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG24 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ07 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ14 ,  5F110HJ18 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL07 ,  5F110HL14 ,  5F110HM02 ,  5F110HM13 ,  5F110HM17 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN72 ,  5F110NN78
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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