半導体素子、半導体素子の作製方法および半導体素子を用いた半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-275834
公開番号（公開出願番号）：特開2013-149964
出願日： 2012年12月18日
公開日（公表日）： 2013年08月01日
要約：

【課題】酸化物半導体材料を用いたフィン型構造トランジスタにおいて、微細化に伴いオン電流の低下や電気特性バラツキの増加が顕著となる。【解決手段】絶縁表面上に設けられた、チャネル形成領域およびチャネル形成領域を挟む一対の低抵抗領域を含む酸化物半導体層と、酸化物半導体層の上面および側面を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を挟んでチャネル形成領域の上面および側面を覆うゲート電極と、低抵抗領域と電気的に接続された電極を有し、電極が低抵抗領域の少なくとも側面と電気的に接続されている構造とし、ソース電極およびドレイン電極の接触抵抗を低減した。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁表面上に設けられた、チャネル形成領域およびチャネル形成領域を挟む一対の低抵抗領域を含む酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層の上面および側面を覆うゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を挟んで、前記チャネル形成領域の上面および側面を覆うゲート電極と、前記低抵抗領域と電気的に接続された電極を有し、前記電極は、前記低抵抗領域の少なくとも側面と電気的に接続されていることを特徴とする、半導体素子。

IPC (13件)：

H01L 29/786 , H01L 21/28 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 29/417 , H01L 21/824 , H01L 27/108 , H01L 27/11 , H01L 27/115 , H01L 21/336 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/105

FI (13件)：

H01L29/78 616S , H01L29/78 618B , H01L21/28 301B , H01L29/58 G , H01L29/50 M , H01L27/10 321 , H01L27/10 381 , H01L27/10 434 , H01L27/10 615 , H01L27/10 671C , H01L27/10 671Z , H01L29/78 371 , H01L27/10 441

Fターム (191件)：

4M104AA01 , 4M104AA02 , 4M104AA05 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104BB03 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB31 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104BB36 , 4M104BB39 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD02 , 4M104DD08 , 4M104DD09 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD18 , 4M104DD20 , 4M104DD28 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD64 , 4M104DD65 , 4M104DD75 , 4M104DD91 , 4M104FF04 , 4M104FF06 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104FF29 , 4M104GG09 , 4M104GG16 , 4M104HH04 , 4M104HH10 , 4M104HH12 , 4M104HH14 , 4M104HH15 , 4M104HH16 , 5F083AD02 , 5F083AD03 , 5F083AD10 , 5F083AD14 , 5F083AD69 , 5F083BS01 , 5F083BS13 , 5F083BS27 , 5F083EP22 , 5F083EP63 , 5F083EP68 , 5F083EP75 , 5F083GA01 , 5F083GA02 , 5F083GA06 , 5F083GA09 , 5F083GA10 , 5F083GA21 , 5F083GA25 , 5F083GA27 , 5F083HA02 , 5F083HA06 , 5F083HA08 , 5F083JA05 , 5F083JA12 , 5F083JA19 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA42 , 5F083JA44 , 5F083JA58 , 5F083LA02 , 5F083LA04 , 5F083LA05 , 5F083MA05 , 5F083MA06 , 5F083MA19 , 5F083NA01 , 5F083PR03 , 5F083PR22 , 5F083PR23 , 5F083PR29 , 5F083PR34 , 5F083PR37 , 5F083PR40 , 5F083ZA13 , 5F083ZA14 , 5F101BA17 , 5F101BB17 , 5F101BD07 , 5F101BD13 , 5F101BD30 , 5F101BD33 , 5F101BD35 , 5F101BD40 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BE07 , 5F101BF02 , 5F101BF03 , 5F101BF09 , 5F101BH09 , 5F101BH14 , 5F101BH16 , 5F101BH19 , 5F110AA04 , 5F110AA30 , 5F110BB05 , 5F110CC02 , 5F110CC10 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD25 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE11 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE30 , 5F110EE31 , 5F110EE38 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG24 , 5F110GG29 , 5F110GG33 , 5F110GG43 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL07 , 5F110HL12 , 5F110HL14 , 5F110HL23 , 5F110HL24 , 5F110HL27 , 5F110HM15 , 5F110HM17 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN27 , 5F110NN28 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN40 , 5F110NN72 , 5F110NN74 , 5F110PP01 , 5F110PP10 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体構造
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-257580 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
埋没接点を有するトランジスタとその形成方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2008-545900 出願人：フリースケールセミコンダクターインコーポレイテッド
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-201223 出願人：株式会社東芝

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