特許
J-GLOBAL ID：201903013821275056

モスアイ転写型、モスアイ転写型の製造方法及びモスアイ構造の転写方法

発明者：
谷口 淳

谷口 淳 について

, 
菅原 浩幸

菅原 浩幸 について


出願人/特許権者：
学校法人東京理科大学

学校法人東京理科大学 について

, 
ジオマテック株式会社

ジオマテック株式会社 について


代理人 (2件)： 秋山 敦 ,  城田 百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-113021
公開番号（公開出願番号）：特開2019-214182
出願日： 2018年06月13日
公開日（公表日）： 2019年12月19日
要約：
【課題】製造工程が簡易で安価なモスアイ転写型及びモスアイ転写型の製造方法を提供する。【解決手段】基材10と、該基材10の上に形成された下地層20と、該下地層20の上に形成されたグラッシーカーボン層30と、を備え、該グラッシーカーボン層30は、反転されたモスアイ構造RMを表面30aに有し、前記反転されたモスアイ構造RMは、ランダムに配列された錐状の穴であることを特徴とするモスアイ転写型1である。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
基材と、 該基材の上に形成された下地層と、 該下地層の上に形成されたグラッシーカーボン層と、を備え、 該グラッシーカーボン層は、反転されたモスアイ構造を表面に有し、 前記反転されたモスアイ構造は、ランダムに配列された錐状の穴であることを特徴とするモスアイ転写型。
IPC (2件)：
B29C 33/38 ,  B29C 59/02
FI (2件)：
B29C33/38 ,  B29C59/02 B
Fターム (23件)：
4F202AH42 ,  4F202AH73 ,  4F202AH74 ,  4F202AJ09 ,  4F202CA03 ,  4F202CA19 ,  4F202CB02 ,  4F202CD02 ,  4F209AA44 ,  4F209AF01 ,  4F209AG05 ,  4F209AH63 ,  4F209AR12 ,  4F209AR13 ,  4F209PA02 ,  4F209PA03 ,  4F209PB01 ,  4F209PB02 ,  4F209PC03 ,  4F209PC05 ,  4F209PN09 ,  4F209PQ01 ,  4F209PQ11
引用特許：
審査官引用 (3件)

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