特許
J-GLOBAL ID：201203072047569925

転写構造体の製造方法及びそれに用いる母型並びに微細構造体

発明者：
谷口 淳

谷口 淳 について

, 
好野 則夫

好野 則夫 について

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大迫 信二

大迫 信二 について


出願人/特許権者：
学校法人東京理科大学

学校法人東京理科大学 について

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株式会社ハーベス

株式会社ハーベス について


代理人 (3件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-048871
公開番号（公開出願番号）：特開2012-183752
出願日： 2011年03月07日
公開日（公表日）： 2012年09月27日
要約：
【課題】融点が300°C以上の被転写材料に対しても母型の転写パターンを破壊せずに繰り返し転写させることができる転写構造体の製造方法及びそれに用いる母型並びに耐熱性が高い微細構造体を提供する。【解決手段】表面に転写パターンが形成された母型をオゾン洗浄し、オゾン洗浄した母型の表面に、下記一般式(I)で表されるシランカップリング剤の膜を形成し、シランカップリング剤の膜が形成された母型の表面に被転写材料を付与するとともに300°C以上に加熱することにより被転写材料に母型の表面の転写パターンを転写させる(式(I)中、nは10、12、又は14の整数を示し、mは3又は4の整数を示し、X、Y、Zは、それぞれ独立して、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、又はハロゲン原子を表す。)。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
表面に転写パターンが形成された母型をオゾン洗浄する工程と、 前記オゾン洗浄した母型の前記転写パターンが形成されている表面に、下記一般式(I)で表されるシランカップリング剤の膜を形成する工程と、 前記シランカップリング剤の膜が形成された前記母型の転写パターンが形成されている表面に融点が300°C以上の被転写材料を付与するとともに加熱することにより前記被転写材料に前記母型の表面の転写パターンを転写させる工程と、 前記被転写材料を前記母型から剥離させることにより前記転写パターンが反映された転写構造体を得る工程と、 を含む転写構造体の製造方法。
IPC (5件)：
B29C 59/02 ,  H05K 3/20 ,  B29C 33/42 ,  B29C 33/72 ,  B29C 33/56
FI (5件)：
B29C59/02 Z ,  H05K3/20 A ,  B29C33/42 ,  B29C33/72 ,  B29C33/56
Fターム (21件)：
4F202AF01 ,  4F202AH36 ,  4F202AJ09 ,  4F202AR12 ,  4F202CA19 ,  4F202CD02 ,  4F209AF01 ,  4F209AG05 ,  4F209AH73 ,  4F209AJ09 ,  4F209PA02 ,  4F209PB01 ,  4F209PN03 ,  4F209PN06 ,  4F209PQ11 ,  4F209PQ14 ,  5E343AA02 ,  5E343AA12 ,  5E343AA32 ,  5E343DD23 ,  5E343EE60
引用特許：
審査官引用 (4件)
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