特許

J-GLOBAL ID：201903014541293624

圧電素子積層体および圧電素子積層体の製造方法

発明者： 森脇 政仁 ,  太田 浩平 ,  大東 良一 ,  百瀬 輝寿 ,  鈴木 浩助 ,  桑野 博喜 ,  レ バン ミン ,  今野 理洋
出願人/特許権者： 大日本印刷株式会社 ,  国立大学法人東北大学
代理人 (2件)： 山下 昭彦 ,  岸本 達人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-243158
公開番号（公開出願番号）：特開2019-110249
出願日： 2017年12月19日
公開日（公表日）： 2019年07月04日
要約：

【課題】圧電体である窒化アルミニウムの結晶配向を高め、圧電性の向上を図ることが可能な圧電素子積層体を提供する。【解決手段】圧電素子積層体は、金属材料を含む基材1と、基材1の一方の面上の、第1金属材料を含む第1金属層2aと、第1金属層2aの基材1とは反対側の面上の、窒化アルミニウムを含む第1窒化アルミニウム層3aとを有する。第1窒化アルミニウム層3aは、X線回折法において2θ=36.0±0.4°(AlN由来のピーク)にピークを有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

金属材料を含む基材と、 前記基材の一方の面上の、第1金属材料を含む第1金属層と、 前記第1金属層の前記基材とは反対側の面上の、窒化アルミニウムを含む第1窒化アルミニウム層と を有し、 前記第1窒化アルミニウム層は、X線回折法において2θ=36.0±0.4°(AlN由来のピーク)にピークを有する圧電素子積層体。

IPC (6件)：

H01L 41/187 ,  H01L 41/047 ,  H01L 41/29 ,  H01L 41/316 ,  H01L 41/113 ,  H01L 41/332

FI (6件)：

H01L41/187 ,  H01L41/047 ,  H01L41/29 ,  H01L41/316 ,  H01L41/113 ,  H01L41/332

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 超高配向窒化アルミニウム薄膜を用いた圧電素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-160568   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所, オムロン株式会社, 株式会社フルヤ金属
• 高感度圧電素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-241495   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
• サスペンション用基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-160999   出願人：大日本印刷株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• "Microstructure and piezoelectric properties of AlN thin films grown on stainless steel for the appl