特許
J-GLOBAL ID：201903014851502380
半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
家入 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-096006
公開番号（公開出願番号）：特開2019-201164
出願日： 2018年05月18日
公開日（公表日）： 2019年11月21日
要約：
【課題】耐放射線性を向上させるのに適した半導体素子を提供すること。【解決手段】一実施の形態によれば、半導体素子は、半導体基板100と、半導体基板100のPウェル101上に形成され、Pウェル101とともにPN接合型のフォトダイオードPPDを構成するN型拡散領域103と、平面視上、フォトダイオードPPDを囲むようにして半導体基板100に形成された素子分離領域102と、素子分離領域102とPウェル101との境界線から離れて素子分離領域102上に設けられ、Pウェル101の電位よりも低い所定電圧が印加されたポリシリコン電極109aと、を備える。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
半導体基板と、
前記半導体基板の第1導電型の第1ウェル上に形成され、当該第1ウェルとともに第1回路素子を構成する第2導電型の第1拡散領域と、
平面視上、前記第1回路素子を囲むようにして前記半導体基板に形成された素子分離領域と、
前記素子分離領域と前記第1ウェルとの境界線から離れて前記素子分離領域上に設けられ、前記第1ウェルの電位よりも低い所定電圧が印加された電極と、
を備えた半導体素子。
IPC (4件)：
H01L 27/146
, H01L 21/823
, H01L 27/06
, H01L 27/088
H01L27/146 A
, H01L27/06 102A
, H01L27/088 D
4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA04
, 4M118CA20
, 4M118FA28
, 5F048AA06
, 5F048AC01
, 5F048AC03
, 5F048AC10
, 5F048BA01
, 5F048BB03
, 5F048BB05
, 5F048BC03
, 5F048BD10
, 5F048BE03
, 5F048BE04
, 5F048BE09
, 5F048BF11
, 5F048BF15
, 5F048BF16
, 5F048BF18
, 5F048BG12
, 5F048BG13
