特許
J-GLOBAL ID：200903021511642631

固体撮像装置およびその製造方法

発明者：
中村 信男

中村 信男 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 野田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-034157
公開番号（公開出願番号）：特開2003-234496
出願日： 2002年02月12日
公開日（公表日）： 2003年08月22日
要約：
【要約】【課題】 光電変換素子のリーク電流を低減し、画素間のばらつきを抑制するとともに、素子分離能力を増大させる。【解決手段】 シリコン基板上に設けたフォトダイオード1と電荷検出部4の境界部の上には、転送ゲート用の転送電極15を配置している。また、フォトダイオード1と素子分離領域14の境界部14Aの上には、サラウンド電極(包囲形電極)43を配置する。これにより、フォトダイオード1の周囲を転送電極15とサラウンド電極43で包囲し、これらの電極15、43に、マイナス電圧やGND電圧を印加しておくことによって、電荷蓄積期間中のリーク電流の発生を抑制する。なお、転送電極15とサラウンド電極43は、一体の電極膜44で形成することも可能であり、転送電極15と反対側の部分が除去されたサラウンド電極43Aを用いることも可能である。
請求項（抜粋）：
半導体基板に少なくとも受光量に応じた信号電荷を生成する光電変換素子と、前記光電変換素子の側部に配置されて光電変換素子によって生成された信号電荷を読出して後段に転送する転送ゲート部と、前記光電変換素子の転送ゲート部が配置される側部以外の側部に配置される素子分離領域とを設け、前記素子分離領域によって光電変換素子と周辺素子とを分離した固体撮像装置において、前記半導体基板の前記転送ゲート部の上部領域に転送電極を設けるとともに、前記光電変換素子と素子分離領域との境界部またはその近傍の上部領域にサラウンド電極を設け、前記転送電極およびサラウンド電極に所定の電圧を印加することにより、前記光電変換素子のリーク電流を低減することを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件)：
H01L 31/10 ,  H01L 27/146
FI (2件)：
H01L 31/10 A ,  H01L 27/14 A
Fターム (30件)：
4M118AA05 ,  4M118AA06 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118CA09 ,  4M118DD12 ,  4M118EA07 ,  4M118FA26 ,  4M118FA27 ,  4M118FA28 ,  4M118FA29 ,  4M118FA34 ,  4M118FA42 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NA05 ,  5F049NA20 ,  5F049NB05 ,  5F049PA10 ,  5F049QA03 ,  5F049RA03 ,  5F049RA04 ,  5F049RA08 ,  5F049SE09 ,  5F049SE20 ,  5F049SS03 ,  5F049UA01 ,  5F049UA14 ,  5F049WA03
引用特許：
審査官引用 (11件)
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