バイアス深溝分離部を有する高度光子検出装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：辻居幸一 , 熊倉禎男 , 大塚文昭 , 西島孝喜 , 須田洋之 , 上杉浩 , 近藤直樹 , 岸慶憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-071001
公開番号（公開出願番号）：特開2014-225647
出願日： 2014年03月31日
公開日（公表日）： 2014年12月04日
要約：

【課題】イメージセンサのサイズを小型化することにより、イメージセンサの画素セルを同じ解像度のままで小型化することが継続的にできる高度光子検出装置を提供する。【解決手段】光子検出装置210は、半導体材料の第1の領域内に配置された平面接合部を有するフォトダイオード214を含む。半導体材料内には、深溝分離(DTI)構造222A、B、Cが配置される。DTI構造は、DTI構造の一方の側にある半導体材料の第1の領域216Aを、DTI構造の他方の側にある半導体材料の第2の領域216Bから分離する。DTI構造は、DTI構造の内面を覆う誘電体層224A、B、Cと、DTI構造内部の誘電体層を覆って配置されたドープ半導体材料226A、B、Cとを含む。DTI構造の内部に配置されたドープ半導体材料は、バイアス電圧232に結合されて、半導体材料の第1の領域内のフォトダイオードを半導体材料の第2の領域から分離する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

光子検出装置であって、半導体材料の第1の領域内に配置された平面接合部を有するフォトダイオードと、前記半導体材料内に配置された深溝分離(DTI)構造と、を備え、前記DTI構造は、該DTI構造の一方の側にある前記半導体材料の前記第1の領域を、前記DTI構造の他方の側にある前記半導体材料の第2の領域から分離し、前記DTI構造は、前記DTI構造の内面を覆う誘電体層と、前記DTI構造内部の前記誘電体層を覆って配置されたドープ半導体材料と、を含み、前記DTI構造の内部に配置された前記ドープ半導体材料は、バイアス電圧に結合されて、前記半導体材料の前記第1の領域にある前記フォトダイオードを、前記半導体材料の前記第2の領域から分離する、ことを特徴とする光子検出装置。

IPC (4件)：

H01L 27/146 , H01L 31/107 , H01L 21/76 , H04N 5/369

FI (4件)：

H01L27/14 A , H01L31/10 B , H01L21/76 L , H04N5/335 690

Fターム (27件)：

4M118AA05 , 4M118AB01 , 4M118BA06 , 4M118BA14 , 4M118CA03 , 4M118CA18 , 4M118EA01 , 4M118EA14 , 4M118FA25 , 4M118FA27 , 4M118FA29 , 4M118GA02 , 5C024CX37 , 5C024CX41 , 5C024CY47 , 5C024GX03 , 5C024GY45 , 5F032AA35 , 5F032AA45 , 5F032AA48 , 5F032AA63 , 5F032CA15 , 5F049MA02 , 5F049MA07 , 5F049NA04 , 5F049NB05 , 5F049RA02

引用特許：

審査官引用 (9件)

固体撮像素子の駆動方法、固体撮像装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-332475 出願人：ソニー株式会社
ホトダイオードアレイ
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-374062 出願人：浜松ホトニクス株式会社
アバランシェフォトダイオード、及びそれを具備する信号処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-307874 出願人：キヤノン株式会社

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