特許
J-GLOBAL ID：201903016598334788

メモリデバイス及び多数検出器

発明者：
中岡 裕司

中岡 裕司 について


出願人/特許権者：
華邦電子股▲ふん▼有限公司

華邦電子股▲ふん▼有限公司 について


代理人 (3件)： 杉村 憲司 ,  杉村 光嗣 ,  吉澤 雄郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-100101
公開番号（公開出願番号）：特開2019-204569
出願日： 2018年05月25日
公開日（公表日）： 2019年11月28日
要約：
【課題】メモリデバイス及び多数検出器を提供する。【解決手段】多数検出器100は、引き上げ回路130と、第一スイッチQP1と、第二スイッチQP2と、複数の第一トランジスタQN1〜QN8と、複数の第二トランジスタQN9〜QN16と、検出増幅回路140と、を含む。引き上げ回路は、検出期間の前に、制御信号に基づき、第一ノードSB及び第二ノードSTに第一電圧を提供する。第一スイッチと第二スイッチは、それぞれ検出期間において、制御信号に基づき、第二電圧を第一ノード及び第二ノードに提供する。第一トランジスタの制御端は、それぞれデータ信号の複数の値のうちの一つを受信する。第二トランジスタの制御端は、それぞれこれらの値のうちの一つの反転値を受信する。検出増幅回路は、検出期間において、第一ノード及び第二ノードの間の電圧差に基づき、これらの値において多数を占める値を指摘する検出結果を生成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
検出期間の前に、制御信号に基づき、第一ノード及び第二ノードに第一電圧を提供するように配置される引き上げ回路と、 第二電圧及び前記第一ノードの間に結合され、前記検出期間において、前記制御信号に基づき、前記第一電圧より大きい前記第二電圧を前記第一ノードに提供するように配置される第一スイッチと、 前記第二電圧及び前記第二ノードの間に結合され、前記検出期間において、前記制御信号に基づき、前記第二電圧を前記第二ノードに提供するように配置される第二スイッチと、 前記第一ノード及び第三ノードの間に結合され、その制御端がそれぞれデータ信号の複数の値のうちの一つを受信し、前記第三ノードは、前記検出期間において、前記第一電圧より小さい第三電圧に結合される複数の第一トランジスタと、 前記第二ノード及び前記第三ノードの間に結合され、その制御端がそれぞれ前記複数のうちの一つの反転値を受信する複数の第二トランジスタと、 前記第一ノード及び前記第二ノードに結合され、前記検出期間において、前記第一ノード及び前記第二ノードの間の電圧差に基づき、前記複数の値において多数を占める値を指摘する検出結果を生成する検出増幅回路と、を含む多数検出器。
IPC (2件)：
G11C 7/10 ,  G11C 11/409
FI (5件)：
G11C7/10 150 ,  G11C7/10 400 ,  G11C7/10 460 ,  G11C11/4093 150 ,  G11C11/4096 550
Fターム (7件)：
5M024AA04 ,  5M024AA54 ,  5M024BB33 ,  5M024JJ03 ,  5M024PP01 ,  5M024PP03 ,  5M024PP07
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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