特許
J-GLOBAL ID：201903017670246011
In-Cu合金粉末、In-Cu合金粉末の製造方法、In-Cu合金スパッタリングターゲット及びIn-Cu合金スパッタリングターゲットの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
松沼 泰史
, 寺本 光生
, 細川 文広
, 大浪 一徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-167452
公開番号（公開出願番号）：特開2019-044222
出願日： 2017年08月31日
公開日（公表日）： 2019年03月22日
要約：
【課題】酸素含有量の少ないIn-Cu合金粉末とその製造方法、スパッタ時の異常放電回数の少ないIn-Cu合金スパッタリングターゲットとその製造方法を提供する。【解決手段】In-Cu合金粉末は、酸素含有量が1000質量ppm以下である。In-Cu合金粉末の製造方法は、InとCuとを含む原料金属を投入した耐熱容器を10Pa以下の真空度にする真空引き工程と、耐熱容器に酸素濃度が50体積ppm以下の不活性ガスを導入し、耐熱容器の内部を不活性ガスで満たした後、1100°C以上に加熱して、原料金属を溶融させ溶融原料とする溶融工程と、700°C以上の温度で溶融原料を酸素濃度が50体積ppm以下の不活性ガスでアトマイズするアトマイズ工程とを備える。In-Cu合金スパッタリングターゲットは、酸素含有量が1000質量ppm以下の焼結体であり、その製造方法は前記のIn-Cu合金粉末を含む原料粉末を焼結する。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
InとCuとを含み、酸素含有量が1000質量ppm以下であることを特徴とするIn-Cu合金粉末。
IPC (4件)：
B22F 1/00
, C23C 14/34
, C22C 28/00
, B22F 9/08
B22F1/00 R
, C23C14/34 A
, C22C28/00 B
, B22F9/08 A
4K017AA04
, 4K017BA10
, 4K017BB05
, 4K017CA07
, 4K017DA09
, 4K017FA03
, 4K017FA07
, 4K017FA11
, 4K017FA12
, 4K017FA15
, 4K018AA40
, 4K018BA20
, 4K018BB04
, 4K018EA01
, 4K018FA06
, 4K018KA29
, 4K018KA51
, 4K018KA63
, 4K029DC04
, 4K029DC09
