特許

J-GLOBAL ID：201203068050337078

Cu、In、GaおよびSeの元素を含有する粉末、焼結体およびスパッタリングターゲット、並びに上記粉末の製造方法

発明者： 得平 雅也 ,  南部 旭 ,  柏井 茂雄 ,  福住 正文
出願人/特許権者： 株式会社コベルコ科研 ,  兵庫県
代理人 (5件)： 植木 久一 ,  植木 久彦 ,  菅河 忠志 ,  伊藤 浩彰 ,  竹岡 明美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-147618
公開番号（公開出願番号）：特開2012-012229
出願日： 2010年06月29日
公開日（公表日）： 2012年01月19日
要約：

【課題】焼結時や加工時に割れの発生しないCu、In、GaおよびSeを含有するCu-In-Ga-Se系粉末、およびこれを用いた焼結体およびスパッタリングターゲットを提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、Cu、In、GaおよびSeの元素を含有する粉末であって、Cu-In-Ga-Se系化合物および/またはCu-In-Se系化合物を、合計で60質量%以上含有することを特徴とする粉末である。本発明の粉末は、In-Se系化合物を20質量%以下および/またはCu-In系化合物を20質量%以下含有することが好ましい。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

Cu、In、GaおよびSeの元素を含有する粉末であって、 Cu-In-Ga-Se系化合物および/またはCu-In-Se系化合物を、合計で60質量%以上含有することを特徴とする粉末。

IPC (4件)：

C01B 19/00 ,  C23C 14/34 ,  B22F 9/08 ,  B22F 1/00

FI (5件)：

C01B19/00 Z ,  C23C14/34 A ,  B22F9/08 A ,  B22F1/00 L ,  B22F1/00 R

Fターム (14件)：

4K017AA04 ,  4K017BA05 ,  4K017BB05 ,  4K017BB13 ,  4K017CA07 ,  4K017EA03 ,  4K017EA04 ,  4K018BA02 ,  4K018BA11 ,  4K018BA20 ,  4K018BB04 ,  4K018EA01 ,  4K018KA29 ,  4K029DC09

引用特許：

審査官引用 (3件)

• Cu-In-Ga-Se四元系合金スパッタリングターゲットの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-351527   出願人：三菱マテリアル株式会社
• カルコパイライト型半導体膜成膜用スパッタリングターゲットの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-141802   出願人：三菱マテリアル株式会社
• 薄膜太陽電池の製造方法及び製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-299797   出願人：昭和シェル石油株式会社

引用文献：

審査官引用 (3件)

• 太陽電池向け薄膜用化合物
• XRD and TEM characterizations of the mechanically alloyed CuIn0.5Ga0.5Se2 powders
• 化合物半導体の製造技術とデバイスへの応用 材料編化合物太陽電池用スパッタターゲット