特許

J-GLOBAL ID：201903017744065111

磁気メモリ素子

発明者： ジル・ゴダン ,  イオアン・ミハイ・ミロン ,  オリヴィエ・ブル ,  サフィール・チェナットゥクジイル
出願人/特許権者： セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク ,  コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ
代理人 (3件)： 村山 靖彦 ,  実広 信哉 ,  阿部 達彦
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-519285
公開番号（公開出願番号）：特表2018-537846
出願日： 2016年10月05日
公開日（公表日）： 2018年12月20日
要約：

本発明は磁気メモリ素子に関し、該磁気メモリ素子は、導電層部分(32)と非磁性層部分(36)との間に磁性層部分(34)を含むコンタクト(31)であって、磁性層は層の平面に垂直な磁化を有する、コンタクトと、2つのアーム(44A、44B)によって延長された中央部分を含む、角度を有する導電性トラック(42)とを含み、コンタクトはトラック上に完全に配置され、それぞれのアームに関して、アームの中央軸に沿ってコンタクトに向かって流れる電流は、アームの一方(44A)については主にその左側であり他方のアーム(44B)については主にその右側であるアームに最も近いコンタクト部分に達する。

請求項（抜粋）：

磁気メモリ素子であって、 導電層部分(32)と非磁性層部分(36)との間に磁性層部分(34)を含むコンタクト(31;51;61;71;81;91;101)であって、磁性層は層の平面に垂直な磁化を有する、コンタクトと、 2つのアーム(44A、44B)によって延長された中央部分を含む、角度を有する導電性トラック(42;52;62;72;82;92;102)とを含み、 コンタクトはトラック上に完全に配置され、 それぞれのアームに関して、アームの中央軸(45A、45B)に沿ってコンタクトに向かって流れる電流は、アームの一方(44A)については主にその左側であり他方のアーム(44B)については主にその右側であるアームに最も近いコンタクト部分に達する、磁気メモリ素子。

IPC (5件)：

H01L 21/823 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08 ,  H01L 29/82 ,  H01F 10/06

FI (4件)：

H01L27/105 447 ,  H01L43/08 Z ,  H01L29/82 Z ,  H01F10/06

Fターム (29件)：

4M119AA15 ,  4M119AA19 ,  4M119BB01 ,  4M119CC02 ,  4M119DD17 ,  4M119DD24 ,  4M119DD33 ,  4M119EE02 ,  4M119EE08 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5F092AA01 ,  5F092AB06 ,  5F092AC11 ,  5F092AD12 ,  5F092AD23 ,  5F092BB01 ,  5F092BB21 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB71 ,  5F092BC03 ,  5F092BC18 ,  5F092BC42

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 磁気メモリスロット
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2017-537349   出願人：セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク, コミサリアアエナジーアトミックエオックスエナジーズオルタネティヴ
• 磁気記憶素子
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2013-521266   出願人：サントルナショナルドゥラルシェルシュシアンティフィク, コミサリアアレネルジィアトミークエオゼネルジイアルテアナティーフ, ユニヴェルシテジョセフフーリエ, インスティトゥートカタラデナノテクノロジア(アイシーエヌ), インスティトゥシオカタラーナデレセルカイエストゥディスアバンカツ(アイシーアールイーエー)
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-103761   出願人：株式会社東芝