特許

J-GLOBAL ID：201903018932795301

化合物半導体装置及びその製造方法、並びに受信機

発明者： 高橋 剛 ,  河口 研一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (2件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-023715
公開番号（公開出願番号）：特開2019-004131
出願日： 2018年02月14日
公開日（公表日）： 2019年01月10日
要約：

【課題】pn接合を備えたナノワイヤのリーク電流を抑制すること。【解決手段】基板20と、基板20から上に伸びた線状の化合物半導体であり、第1の導電型の下部26と、下部26の上に伸びた第2の導電型の上部27とを備えた線状半導体25と、線状半導体25の側面25aを覆うi型化合物半導体結晶の保護層28とを有する化合物半導体装置による。【選択図】図23

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板から上に伸びた線状の化合物半導体であり、第1の導電型の下部と、前記下部の上に伸びた第2の導電型の上部とを備えた線状半導体と、 前記線状半導体の側面を覆うi型化合物半導体結晶の保護層と を有することを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 29/861 ,  H01L 29/868 ,  H01L 21/329 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/532 ,  H01L 23/522

FI (9件)：

H01L29/91 C ,  H01L29/91 F ,  H01L29/91 A ,  H01L29/91 H ,  H01L29/48 D ,  H01L29/48 F ,  H01L21/88 R ,  H01L21/88 G ,  H01L21/90 D

Fターム (30件)：

4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104AA07 ,  4M104BB09 ,  4M104BB10 ,  4M104BB12 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD68 ,  4M104EE06 ,  4M104EE12 ,  4M104EE16 ,  4M104EE18 ,  4M104FF13 ,  4M104GG02 ,  5F033GG02 ,  5F033HH13 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ13 ,  5F033KK01 ,  5F033KK13 ,  5F033MM13 ,  5F033NN07 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ41 ,  5F033SS11 ,  5F033TT04

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-199019   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-183616   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-237631   出願人：富士通株式会社