特許
J-GLOBAL ID：201903019354962107
深紫外発光ダイオードおよびそれを備える電気機器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 正之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-156857
公開番号（公開出願番号）：特開2019-036629
出願日： 2017年08月15日
公開日（公表日）： 2019年03月07日
要約：
【課題】 深紫外発光ダイオードの光取出し効率を高める。【解決手段】 本発明のある実施形態の典型的なLED素子100Aは、n型導電層132、再結合層134、およびp型導電層136がこの順に積層されている紫外発光層130を備えている。紫外発光層130は、220nm以上350nm以下に含まれている放射UVの主要波長をもつAlGaNまたはInAlGaNの層である。p型導電層136にはさらにAlGaNまたはInAlGaのp型コンタクト層150、および反射電極160Aが積層されている。反射電極は、少なくとも挿入金属層および主成分にMgを含むUV反射膜がp型コンタクト層の側からこの順に積層されており、放射UVに対し反射性を示す。UV反射膜また本発明では、上記LED素子を備える電気機器も提供される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
少なくともn型導電層、再結合層、およびp型導電層がこの順に積層されており、220nm以上350nm以下に含まれている放射UVの主要波長をもつAlNとGaNの混晶(AlGaN)またはAlNとGaNとInNとの混晶(InAlGaN)の紫外発光層と、
前記p型導電層に電気的に接続しているAlGaNまたはInAlGaNのp型コンタクト層と、
該p型コンタクト層に電気的に接続しており、少なくとも挿入金属層および主成分にMgを含むUV反射膜が該p型コンタクト層の側からこの順に互いに接してまたは他の導電層を介して積層されており、前記放射UVに対し反射性を示す反射電極と
を備えている深紫外発光ダイオード。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (12件)：
5F241AA03
, 5F241CA05
, 5F241CA13
, 5F241CA40
, 5F241CA49
, 5F241CA57
, 5F241CA65
, 5F241CA84
, 5F241CA92
, 5F241CB11
, 5F241CB15
, 5F241CB36
審査官引用 (7件)
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紫外線発光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願2016-225108
出願人：パナソニック株式会社, 国立研究開発法人理化学研究所
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発光装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2004-217941
出願人：松下電器産業株式会社
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窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-348078
出願人：松下電器産業株式会社
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引用文献：
審査官引用 (2件)
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"Deep-ultraviolet light-emitting diodes with external quantum efficiency higher than 20% at 275 nm a
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"Investigation of the light-extraction efficiency in 280 nm AIGaN-based light-emitting diodes having
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