特許
J-GLOBAL ID：201903020178696274
SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法、並びに、欠陥識別方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
志賀 正武
, 鈴木 三義
, 荒 則彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-186062
公開番号（公開出願番号）：特開2018-041942
特許番号：特許第6459132号
出願日： 2016年09月23日
公開日（公表日）： 2018年03月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 オフ角を有し、0.1〜6.0個/cm2の基板カーボンインクルージョン密度を有する4H-SiC単結晶基板上にSiCエピタキシャル層が形成されたSiCエピタキシャルウェハであって、
前記SiCエピタキシャル層に含まれる、基板カーボンインクルージョン起因のラージピット欠陥及び三角欠陥の合計密度が0.6個/cm2以下であることを特徴とするSiCエピタキシャルウェハ。
IPC (6件)：
H01L 21/205 ( 200 6.01)
, C30B 25/20 ( 200 6.01)
, C30B 29/36 ( 200 6.01)
, C23C 16/42 ( 200 6.01)
, H01L 21/66 ( 200 6.01)
, H01L 21/20 ( 200 6.01)
H01L 21/205
, C30B 25/20
, C30B 29/36 A
, C23C 16/42
, H01L 21/66 J
, H01L 21/20
