特許
J-GLOBAL ID：201903021196706259
半導体デバイス用基板、半導体デバイス、及び、半導体デバイス用基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
好宮 幹夫
, 小林 俊弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-180857
公開番号（公開出願番号）：特開2018-046207
特許番号：特許第6615075号
出願日： 2016年09月15日
公開日（公表日）： 2018年03月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板と、
該基板上に設けられ、窒化物半導体からなるバッファ層と、
前記バッファ層上に設けられた窒化物半導体層からなるデバイス能動層と
を有する半導体デバイス用基板であって、
前記バッファ層は
炭素と鉄を含む第1の領域と、
前記第1の領域上にあって、前記第1の領域よりも鉄の平均濃度が低く、前記第1の領域よりも炭素の平均濃度が高い第2の領域と
を有し、
前記第2の領域の炭素の平均濃度は前記第1の領域の鉄の平均濃度より低く、
前記第1の領域及び前記第2の領域はAl又はGa又はその両方を含み、前記第1の領域の平均Al濃度は、前記第2の領域の平均Al濃度より低いことを特徴とする半導体デバイス用基板。
IPC (5件)：
H01L 21/338 ( 200 6.01)
, H01L 29/778 ( 200 6.01)
, H01L 29/812 ( 200 6.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
, H01L 21/20 ( 200 6.01)
H01L 29/80 H
, H01L 21/205
, H01L 21/20
