特許

J-GLOBAL ID：201503003394682775

半導体基板及び半導体素子

発明者： 佐藤 憲 ,  鹿内 洋志 ,  後藤 博一 ,  篠宮 勝 ,  土屋 慶太郎 ,  萩本 和徳
出願人/特許権者： サンケン電気株式会社 ,  信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-080323
公開番号（公開出願番号）：特開2015-201574
出願日： 2014年04月09日
公開日（公表日）： 2015年11月12日
要約：

【課題】 チャネル層内の炭素濃度及び遷移金属の濃度を下げつつ、高抵抗層のチャネル層側の領域の高抵抗化を図ることができる半導体基板、及びこの半導体基板を用いて作製された半導体素子を提供することを目的とする。【解決手段】 基板と、前記基板上のバッファ層と、前記バッファ層上の窒化物系半導体からなり、遷移金属及び炭素を含む高抵抗層と、前記高抵抗層上の窒化物系半導体からなるチャネル層とを有する半導体基板であって、前記高抵抗層は、前記チャネル層に接するとともに前記バッファ層側から前記チャネル層側に向かって前記遷移金属の濃度が減少する減少層を有し、炭素濃度の前記チャネル層に向かって減少する減少率は、前記遷移金属の濃度の前記チャネル層に向かって減少する減少率よりも大きいことを特徴とする半導体基板。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板上のバッファ層と、 前記バッファ層上の窒化物系半導体からなり、遷移金属及び炭素を含む高抵抗層と、 前記高抵抗層上の窒化物系半導体からなるチャネル層と を有する半導体基板であって、 前記高抵抗層は、前記チャネル層に接するとともに前記バッファ層側から前記チャネル層側に向かって前記遷移金属の濃度が減少する減少層を有し、 炭素濃度の前記チャネル層に向かって減少する減少率は、前記遷移金属の濃度の前記チャネル層に向かって減少する減少率よりも大きいことを特徴とする半導体基板。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (1件)：

H01L29/80 H

Fターム (11件)：

5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR09

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-171067   出願人：住友電気工業株式会社
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-030341   出願人：古河電気工業株式会社
• 化合物半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-038905   出願人：富士通株式会社
• 高電子移動度トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-041557   出願人：古河電気工業株式会社
• 化合物半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-071999   出願人：富士通株式会社
• 窒化物半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-168616   出願人：エルジーエレクトロニクスインコーポレイティド
• トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-070480   出願人：パナソニック株式会社