選択成膜方法および半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高山宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-187575
公開番号（公開出願番号）：特開2019-062142
出願日： 2017年09月28日
公開日（公表日）： 2019年04月18日
要約：

【課題】露出している導電膜表面に導電膜を、絶縁膜表面に絶縁膜を、十分な選択性をもって成膜することができる技術を提供する。【解決手段】表面に導電膜および絶縁膜が露出した状態の被処理基板上に薄膜を選択的に成膜させる選択成膜方法は、導電膜の露出表面である第1の表面は、Ru、RuO2、Pt、Pd、CuO、およびCuO2のいずれかであり、かつ絶縁膜の露出表面である第2の表面はOH基を有し、Ru(EtCp)2ガスとO2ガスとを用いて第1の表面のみに選択的に所定膜厚のRu膜を成膜する第1工程と、被処理基板にTMAガスを供給して第2の表面のみにTMAを吸着させる処理と、次いでシラノール基を有するシリコン原料および酸化剤を用いて吸着されたTMAの表面のみにSiO2膜を形成する処理とを1回または複数回行って、第2の表面のみに選択的に所定膜厚のSiO2含有絶縁膜を成膜する第2工程とを有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

表面に導電膜および絶縁膜が露出した状態の被処理基板上に薄膜を選択的に成膜させる選択成膜方法であって、前記導電膜の露出表面である第1の表面は、Ru、RuO2、Pt、Pd、CuO、およびCuO2のいずれかであり、かつ前記絶縁膜の露出表面である第2の表面はOH基を有し、 Ru(EtCp)2ガスとO2ガスとを用いて前記第1の表面のみに選択的に所定膜厚のRu膜を成膜する第1工程と、前記被処理基板にTMAガスを供給して、前記第2の表面のみにTMAを吸着させる処理と、次いでシラノール基を有するシリコン原料および酸化剤を用いて吸着されたTMAの表面のみにSiO2膜を形成する処理とを1回または複数回行って、前記第2の表面のみに選択的に所定膜厚のSiO2含有絶縁膜を成膜する第2工程とを有することを特徴とする選択成膜方法。

IPC (4件)：

H01L 21/768 , H01L 21/316 , C23C 16/18 , C23C 16/42

FI (4件)：

H01L21/90 A , H01L21/316 X , C23C16/18 , C23C16/42

Fターム (87件)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030AA16 , 4K030AA24 , 4K030BA01 , 4K030BA10 , 4K030BA14 , 4K030BA17 , 4K030BA18 , 4K030BA38 , 4K030BA41 , 4K030BA42 , 4K030BA44 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA02 , 4K030DA03 , 4K030DA09 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030JA01 , 4K030JA05 , 4K030JA06 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030LA15 , 5F033HH07 , 5F033JJ07 , 5F033KK07 , 5F033KK11 , 5F033KK27 , 5F033KK30 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033KK35 , 5F033KK36 , 5F033MM01 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033PP02 , 5F033PP07 , 5F033QQ09 , 5F033QQ48 , 5F033QQ76 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033SS01 , 5F033SS03 , 5F033SS11 , 5F045AA06 , 5F045AA08 , 5F045AA15 , 5F045AB32 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045AE23 , 5F045AF08 , 5F045CB10 , 5F045DC55 , 5F045DC68 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045DQ17 , 5F045EE06 , 5F045EE19 , 5F045EK07 , 5F045HA03 , 5F045HA24 , 5F058BA20 , 5F058BB06 , 5F058BC02 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BE04 , 5F058BE10 , 5F058BF04 , 5F058BF07 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BJ05

引用特許：

審査官引用 (4件)

選択成長方法および基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2014-220157 出願人：東京エレクトロン株式会社
集積回路内での金属層の選択的形成
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-309116 出願人：日本エー・エス・エム株式会社
原子層堆積プロセス
公報種別：公表公報出願番号：特願2010-533167 出願人：エイチシーエフパートナーズリミテッドパートナーシップ

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