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J-GLOBAL ID：202002219439911624   整理番号：20A2648309

EモードGaN-HEMT上の逆電流伝導応力下のゲート閾値電圧不安定性とオン抵抗劣化【JST・京大機械翻訳】

Gate threshold voltage instability and on-resistance degradation under reverse current conduction stress on E-mode GaN-HEMTs

著者 (4件)： Nakayama T. (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba, Japan) ,  Mannen T. (Faculty of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba, Japan) ,  Nakajima A. (Faculty of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba, Japan) ,  Isobe T. (Faculty of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba, Japan)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 114  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,特に逆電流伝導の下での応力効果に焦点を当てて,EモードGaN-HEMTのデバイス特性シフトを研究した。実験結果は,逆電流伝導の電力損失が順方向電流伝導のものより比較的高いことを示した。順方向および逆応力の後,ゲート閾値電圧は負にシフトした。一方,両方のストレス条件で,オン抵抗が時間継続時間に依存して増加した。この解析から,電気的パラメータシフトはゲート接触とゲート電極劣化により生ずる。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *電流 ,  不安定性 ,  継続時間 ,  *オン抵抗
準シソーラス用語： *閾値電圧 ,  電力損失 ,  ゲート電極 ,  デバイス特性 ,  *GaN HEMT ,  応力効果 ,  逆応力 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： GaN ,  HEMT ,  逆電流 ,  伝導 ,  応力 ,  ゲート ,  閾値電圧 ,  不安定性 ,  オン抵抗