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J-GLOBAL ID：202002219597406202   整理番号：20A1991742

マイクロ沿面ギャップにおける絶縁破壊特性の極性効果

Polarity Effect of Breakdown Characteristics across Micrometer-scale Surface Gap

著者 (4件)： 岩渕大行 (横浜国立大学) ,  大山力 (横浜国立大学) ,  熊田亜紀子 (東京大学) ,  日高邦彦 (東京大学)
資料名： 電気学会論文誌 A  (IEEJ Transactions on Fundamentals and Materials)
巻： 140  号： 7  ページ： 342-348(J-STAGE)  発行年： 2020年 
JST資料番号： S0808A  ISSN： 0385-4205  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 電気デバイスの小型化により,電極間ギャップは益々小さくなる。絶縁設計を最適化するためには,マイクロギャップの絶縁破壊現象の理解が必須である。本研究では,実験と数値シミュレーションに基づいて,マイクロギャップの絶縁破壊特性を調べた。その結果,正極性の電圧印加時の絶縁破壊電圧が,負極性の電圧印加時のものより1.5倍高いことを示す。この極性効果は初期電子源により説明できる。負極性の電圧を印加すると,初期の電子はFowler-Nordheim方程式に基づいて,陰極表面から放出される。その一方で,正極性の電圧が印加されると,絶縁物は絶縁破壊電圧に重要な役割を果たす。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 放電ギャップ ,  *沿面放電 ,  電界放出 ,  *絶縁破壊 ,  *極性 ,  シミュレータプログラム ,  放電機構 ,  *微細加工 ,  電圧 ,  シミュレーション ,  シミュレーションモデル ,  密度分布 ,  MEMS
準シソーラス用語： マイクロギャップ ,  電界電子放出 ,  PIC法 ,  *マイクロギャップ放電 ,  絶縁破壊電圧 ,  数値シミュレーション ,  電子密度分布 ,  MEMSデバイス ,  正極性 ,  負極性

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分類 (2件)： 気体放電  (BJ03020T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (13件)：

• (1) R. S. Dhariwal, J.-M. Torres, and M. P. Y. Desmulliez : “Electric field breakdown at micrometre separations in air and nitrogen at atmospheric pressure”, IEE Proc. Sci. Meas. Technol., Vol. 147, No. 5, pp. 261-265 (2000)
• (2) C. H. Chen, J. A. Yeh, and P.-J. Wang : “Electrical breakdown phenomena for devices with micron separations”, J. Micromech. Microeng, Vol. 16, pp. 1366-1373 (2006)
• (3) W. S. Boyle and P. Kisliuk : “Departure from Paschen’s Law of Breakdown in Gases”, Phys. Rev., Vol. 97, No. 2, pp. 255-259 (1955)
• (4) L. H. Germer : “Electrical Breakdown between Close Electrodes in Air”, J. Appl. Phys., Vol. 30, p. 46 (1959)
• (5) C. Men, et al.: “Influence of crystal morphology on breakdown characteristics in vacuum between nano scale gaps”, International Conference on Condition Monitoring and Diagnosis (CMD), F1-4 (2016)

タイトルに関連する用語 (3件)： ギャップ ,  絶縁 ,  破壊特性