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J-GLOBAL ID：202002222533886970   整理番号：20A0033135

GaAs/GaAsBiコア-シェルナノワイヤにおけるバイプロボックナノ構造形成の制御【JST・京大機械翻訳】

Controlling Bi-Provoked Nanostructure Formation in GaAs/GaAsBi Core-Shell Nanowires

著者 (10件)： Matsuda Teruyoshi (Graduate School of Science and Engineering, Ehime University, Ehime, Japan) ,  Takada Kyohei (Graduate School of Science and Engineering, Ehime University, Ehime, Japan) ,  Yano Kohsuke (Graduate School of Science and Engineering, Ehime University, Ehime, Japan) ,  Tsutsumi Rikuo (Graduate School of Science and Engineering, Ehime University, Ehime, Japan) ,  Yoshikawa Kohei (Graduate School of Science and Engineering, Ehime University, Ehime, Japan) ,  Shimomura Satoshi (Graduate School of Science and Engineering, Ehime University, Ehime, Japan) ,  Shimizu Yumiko (Toray Research Center, Shiga, Japan) ,  Nagashima Kazuki (Institute for Materials Chemistry and Engineering, Kyushu University, Japan) ,  Yanagida Takeshi (Institute for Materials Chemistry and Engineering, Kyushu University, Japan) ,  Ishikawa Fumitaro (Graduate School of Science and Engineering, Ehime University, Ehime, Japan)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 19  号： 12  ページ： 8510-8518  発行年： 2019年 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs/GaAsBiコアシェルナノワイヤ(NW)の成長におけるBi誘起ナノ構造の形成を制御した。Biは成分だけでなく,界面活性剤とナノワイヤ成長触媒としても役立つ。このようにして,触媒液滴の特性過飽和,歪により誘起された構造変化,およびホストGaAsマトリックスへの取り込みを用いた非探索III-Vナノ構造を達成する方法を,結晶欠陥および配向と相関させた。Gaが成長中に欠損すると,BiはコアGaAs NWの頂点に蓄積し,分岐構造のナノワイヤ成長触媒として方位角<112>になる。Bi蓄積と積層欠陥の間に強い相関を見出した。さらに,BiはGaAs(112)B表面上に優先的に取り込まれ,7%以上のBi濃度を持つ閉じ込められた領域への空間的に選択的なBi取り込みをもたらす。閃亜鉛鉱構造中の結晶性双晶欠陥によって定義された界面を持つ得られたGaAs/GaAsBi/GaAsヘテロ構造は,量子閉じ込め構造に潜在的に適用できる。著者らの発見は,GaAsBiベースのナノ構造の創出と基本的な限界を超えたBi取り込みの制御に対する合理的な設計概念を提供する。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  *ナノワイヤ ,  *ヒ化ガリウム ,  界面活性剤 ,  触媒 ,  結晶度 ,  *ビスマス ,  *ガリウム ,  量子閉込め ,  *ナノ構造 ,  双晶 ,  液滴 ,  格子欠陥 ,  積層欠陥 ,  過飽和

著者キーワード (6件)： ナノワイヤ ,  ナノ構造 ,  ヘテロ構造 ,  GaAs ,  Bi ,  液滴

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaAs ,  GaAsBi ,  コア-シェル ,  ナノワイヤ ,  構造形成