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J-GLOBAL ID：202002222723551266   整理番号：20A0001083

電場アンモニア合成におけるSrZrO₃担体へのドープ効果

著者 (10件)： 田中雄太 (早稲田大) ,  村上洸太 (早稲田大) ,  林流石 (早稲田大) ,  堺竜哉 (早稲田大) ,  石川敦之 (物質・材料研究機構) ,  小河脩平 (早稲田大) ,  常木英昭 (早稲田大) ,  萩庭尚道 (日本触媒) ,  中井浩巳 (早稲田大) ,  関根泰 (早稲田大)
資料名： 触媒討論会討論会A予稿集(CD-ROM)
巻： 124th  ページ： ROMBUNNO.3H12  発行年： 2019年09月11日 
JST資料番号： S0874B  ISSN： 2758-3503  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Ru/SrZrO₃触媒を用いたアンモニア合成において,反応場に電場を印加することで従来とは異なるメカニズムで反応が進行し,低温域で活性が向上することを見出した.そこで,SrZrO₃担体に異種カチオンをドープし,活性への影響についてDFT計算を用い検討した.結果,担体のもつプロトン供与能(担体の酸性)と電子供与能(担体の塩基性)が活性を向上させる因子であると確認された.(著者抄録)

シソーラス用語： *電場効果 ,  *化学合成 ,  *担持触媒 ,  ドーピング ,  *効果 ,  *ルテニウム触媒 ,  *ジルコニウム酸塩 ,  *ストロンチウム化合物 ,  反応機構 ,  密度汎関数法 ,  触媒活性 ,  表面性状 ,  *アンモニア合成 ,  *ジルコニウム酸ストロンチウム ,  *ドーピング効果
準シソーラス用語： DFT計算

著者キーワード (3件)： アンモニア合成 ,  電場触媒反応 ,  表面酸塩基性

分類 (2件)： 窒素とその化合物  (YB02050S) ,  貴金属触媒  (CB06122I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電場 ,  アンモニア合成 ,  担体 ,  ドープ