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J-GLOBAL ID：202002225808973487   整理番号：20A1236073

シリコン酸化におけるひずみとキャリアの役割

Roles of strain and carrier in silicon oxidation

著者 (5件)： Ogawa Shuichi (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan) ,  Yoshigoe Akitaka (Materials Sciences Research Center, Japan Atomic Energy Agency, 1-1-1 Kouto, Sayo 679-5148, Japan) ,  Tang Jaiyi (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan) ,  Sekihata Yuki (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan) ,  Takakuwa Yuji (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 59  号： SM  ページ： SM0801 (42pp)  発行年： 2020年07月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,SiO₂/Si界面の点欠陥(放出されたSi原子と空孔)のダングリングボンドでO₂解離吸着が起こり,点欠陥発生率は,酸化によるひずみ,SiとSiO₂の熱膨張係数の差による熱ひずみ,Si放出率の熱励起,吸着熱の組み合わせで与えられる,点欠陥発生を媒介とした統一的なSi酸化反応モデルの研究をレビューする。SiO₂/Si界面のバンドベンディングは,n-とp-Si基板では,それぞれ空孔での電子と正孔のトラップによるものであり,O₂分子の解離吸着を担う不対電子を持つ荷電状態へと導く。不対電子を持つP_b0とP_b1センターは,バンドベンディングの電荷移動とは無関係であるため,それらはO₂解離吸着の活性部位でもある。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *酸化 ,  *歪 ,  *キャリア ,  二酸化ケイ素 ,  境界 ,  点欠陥 ,  空格子点 ,  ダングリングボンド ,  解離吸着 ,  酸素 ,  熱膨張係数 ,  シミュレーションモデル ,  文献展望 ,  ウエハ【IC】 ,  電子 ,  正孔 ,  キャリア捕獲 ,  不対電子 ,  バンド構造 ,  活性部位
準シソーラス用語： 半導体-絶縁体境界 ,  空孔【点欠陥】 ,  熱歪 ,  反応モデル ,  文献レビュー ,  Si基板 ,  キャリヤトラップ ,  バンド曲がり

分類 (1件)： 表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  酸化 ,  ひずみ ,  キャリア ,  役割