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J-GLOBAL ID：202002232025678520   整理番号：20A0274899

CHF_3/O_2ガス中のCrドープSb_2Te_3相変化材料の反応性イオンエッチング【JST・京大機械翻訳】

Reactive ion etching of Cr-doped Sb₂Te₃ phase change materials in CHF₃/O₂ gas

著者 (17件)： Li Yuxiang (Key Laboratory of Film Electronic Communication Devices, School of Electrical & Electronic Engineering, Tianjin University of Technology, Tianjin, China) ,  Li Yuxiang (Engineering Research Center of Optoelectronic Devices & Communication Technology, Ministry of Education, China) ,  Wang Fang (Key Laboratory of Film Electronic Communication Devices, School of Electrical & Electronic Engineering, Tianjin University of Technology, Tianjin, China) ,  Wang Fang (Engineering Research Center of Optoelectronic Devices & Communication Technology, Ministry of Education, China) ,  Wang Luguang (Key Laboratory of Film Electronic Communication Devices, School of Electrical & Electronic Engineering, Tianjin University of Technology, Tianjin, China) ,  Wang Luguang (Engineering Research Center of Optoelectronic Devices & Communication Technology, Ministry of Education, China) ,  Huang Jinrong (Key Laboratory of Film Electronic Communication Devices, School of Electrical & Electronic Engineering, Tianjin University of Technology, Tianjin, China) ,  Huang Jinrong (Engineering Research Center of Optoelectronic Devices & Communication Technology, Ministry of Education, China) ,  Dong Kaifei (Key Laboratory of Film Electronic Communication Devices, School of Electrical & Electronic Engineering, Tianjin University of Technology, Tianjin, China) ,  Dong Kaifei (Engineering Research Center of Optoelectronic Devices & Communication Technology, Ministry of Education, China) ,  Hu Kai (Key Laboratory of Film Electronic Communication Devices, School of Electrical & Electronic Engineering, Tianjin University of Technology, Tianjin, China) ,  Hu Kai (Engineering Research Center of Optoelectronic Devices & Communication Technology, Ministry of Education, China) ,  Han Yemei (Key Laboratory of Film Electronic Communication Devices, School of Electrical & Electronic Engineering, Tianjin University of Technology, Tianjin, China) ,  Han Yemei (Engineering Research Center of Optoelectronic Devices & Communication Technology, Ministry of Education, China) ,  Song Zhitang (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Micro-system and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China) ,  Zhang Kailiang (Key Laboratory of Film Electronic Communication Devices, School of Electrical & Electronic Engineering, Tianjin University of Technology, Tianjin, China) ,  Zhang Kailiang (Engineering Research Center of Optoelectronic Devices & Communication Technology, Ministry of Education, China)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 222  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CrドープSb_2Te_3(CST)は,主にその高速相転移と高い熱安定性のために,潜在的相変化材料であると考えられた。高集積相変化メモリ素子を製造するためには,CST膜のエッチング技術が不可欠である。ここでは,CHF_3/O_2ベースプラズマにおけるCST薄膜の反応性イオンエッチングの特性を調べた。エッチング速度,選択性および表面粗さのようなエッチングパラメータを,エッチング品質に及ぼすエッチングガスの影響を調査するために,CHF_3/O_2ガス混合比を変化させることによって最適化した。CST膜のエッチングは,40/10のCHF_3/O_2ガス比,200WのRFパワー,10mTorrのチャンバー圧力の条件下で最適化された。すなわち,エッチ速度は最大101.8nm/分であり,フォトレジストへの選択性は0.78で,表面は滑らかであった。エッチング過程におけるエッチング機構と残留生成物もX線光電子分光法(XPS)により調べた。最適条件下で,CST材料の高効率で低損傷反応性イオンエッチング法を得た。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 表面粗さ ,  X線光電子分光法 ,  品質 ,  *ドーピング ,  最適条件 ,  フォトレジスト ,  熱安定性 ,  *エッチング ,  *RIE【エッチング】 ,  相転移 ,  薄膜 ,  最適化 ,  混合比
準シソーラス用語： チャンバ ,  エッチング速度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： CrドープSb_2Te_3 ,  相変化メモリ ,  反応性イオンエッチング ,  エッチ速度 ,  エッチング機構

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： Cr ,  ドープ ,  相変化材料 ,  反応性イオンエッチング