文献

J-GLOBAL ID：202002232376607166   整理番号：20A1716260

(001)エピタキシャル単一c分域Pb(Zr,Ti)O_3ナノロッドにおける固有圧電応答の増強【JST・京大機械翻訳】

Enhanced intrinsic piezoelectric response in (001)-epitaxial single c-domain Pb(Zr,Ti)O₃ nanorods

著者 (10件)： Okamoto Kazuki (Department of Energy Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Yamada Tomoaki (Department of Energy Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Nakamura Kentaro (Department of Energy Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Takana Hidenori (Department of Innovative and Engineered Material, Tokyo Institute of Technology, Yokohama 226-8503, Japan) ,  Sakata Osami (Synchrotron X-ray Group and Synchrotron X-ray Station at SPring-8, National Institute for Materials Science, 1-1-1 Kouto, Sayo, Hyogo 679-5148, Japan) ,  Phillips Mick (Micron Oxford, Department of Biochemistry, University of Oxford, Oxford OX1 3QU, United Kingdom) ,  Kiguchi Takanori (Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai, Miyagi 980-8577, Japan) ,  Yoshino Masahito (Department of Energy Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Funakubo Hiroshi (Department of Innovative and Engineered Material, Tokyo Institute of Technology, Yokohama 226-8503, Japan) ,  Nagasaki Takanori (Department of Energy Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 117  号： 4  ページ： 042905-042905-5  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,(001)エピタキシャル正方晶相Pb(Zr,Ti)O_3(PZT)ナノロッドをパルスレーザ蒸着によりSrRuO_3/SrTiO_3基板上に作製した。PZTナノロッドは自己集合し,高酸素圧で基板上に成長し,完全なcドメイン構造を示した。印加電場下の時間分解X線回折測定は,作製したPZTナノロッドが圧電定数d_33を示し,これは薄いPZT膜のそれよりも顕著に高く,基板クランプの大きな減少によると考えられる非固定単一ドメインバルク結晶に匹敵することを示した。得られた結果は,自己集合ナノロッドが,強化された固有圧電応答を達成することができ,実際の応用範囲に対して魅力的であることを示した。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  *エピタクシー ,  電場 ,  *分域 ,  クランプ ,  正方晶系 ,  自己集合 ,  *ナノロッド ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： 酸素分圧 ,  圧電定数 ,  ドメイン構造 ,  単分域 ,  *圧電応答 ,  バルク結晶 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

タイトルに関連する用語 (9件)： エピタキシャル ,  分域 ,  Pb ,  Zr ,  Ti ,  ナノロッド ,  固有 ,  圧電応答 ,  増強