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J-GLOBAL ID：202002233621803899   整理番号：20A1235561

フォトダイオード特性化により研究した原子拡散接合InGaAs/a-Ge/InGaAs構造を通る少数電子輸送

Minority-electron transport through atomic-diffusion-bonded InGaAs/a-Ge/InGaAs structure studied by photodiode characterization

著者 (7件)： Yamada Yuki (NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation 3-1 Morinosato Wakamiya Atsugi-shi, Kanagawa 243-0198, Japan) ,  Nada Masahiro (NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation 3-1 Morinosato Wakamiya Atsugi-shi, Kanagawa 243-0198, Japan) ,  Uomoto Miyuki (Tohoku Univ., Research Institute of Electrical Communication Katahira 2-1-1, Aoba-ku, Sendai, 980-8577, Japan) ,  Shimatsu Takehito (Tohoku Univ., Research Institute of Electrical Communication Katahira 2-1-1, Aoba-ku, Sendai, 980-8577, Japan) ,  Nakajima Fumito (NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation 3-1 Morinosato Wakamiya Atsugi-shi, Kanagawa 243-0198, Japan) ,  Hoshi Takuya (NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation 3-1 Morinosato Wakamiya Atsugi-shi, Kanagawa 243-0198, Japan) ,  Matsuzaki Hideaki (NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation 3-1 Morinosato Wakamiya Atsugi-shi, Kanagawa 243-0198, Japan)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 59  号： 1  ページ： 016501 (5pp)  発行年： 2020年01月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子拡散接合技術を用いて作製したウエハ結合InGaAs/a-Ge/InGaAs構造を通る少数電子輸送を実験的に調べた。少数電子の輸送特性を,単一移動キャリアフォトダイオード(UTC-PD)構造で調べた。C-V特性とDCおよびO/E応答を従来のUTC-PDのそれらと比較し,結合領域がn型半導体として挙動し,バイアス電圧をPDに印加したとき,接合界面の近傍に電場が集中することを明らかにした。O/E応答から,結合領域を通る少数電子輸送は,比較的高いバイアス条件下で,ウエハ結合のない従来のPDにおけるものと類似していることが分かった。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： フォトダイオード ,  拡散 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *ゲルマニウム ,  *輸送現象 ,  少数キャリア ,  *接合 ,  容量電圧特性 ,  N型半導体 ,  界面 ,  接合部 ,  電場 ,  電子顕微鏡観察 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： 原子拡散 ,  *電子輸送 ,  *ウエハ接合 ,  接合界面 ,  電界 ,  電界集中 ,  UTC-PD

分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (7件)： フォトダイオード ,  特性化 ,  研究 ,  原子拡散 ,  InGaAs ,  Ge ,  電子輸送