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J-GLOBAL ID：202002235260746240   整理番号：20A0844619

物理気相成長法による窒化ホウ素薄膜の合成と膜品質の制御

Synthesis of Boron Nitride Nanosheets by Physical Vapor Deposition and Control of Film Quality

著者 (4件)： 吉里樹人 (東京工大) ,  平田祐樹 (東京工大) ,  赤坂大樹 (東京工大) ,  大竹尚登 (東京工大)
資料名： 精密工学会大会学術講演会講演論文集  (精密工学会大会シンポジウム資料集)
巻： 2020  号： 春季(CD-ROM)  ページ： ROMBUNNO.E17  発行年： 2020年03月01日 
JST資料番号： Y0914A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 六方晶窒化ホウ素の原子層膜(h-BN薄膜)は優れた化学的安定性やワイドバンドギャップを有する絶縁体である.これらの性質により電子デバイスの絶縁層への応用が期待されているが,化学気相成長法による作製では原料ガスの毒性・爆発性が課題となっている.本研究では,簡便かつ安全なh-BN薄膜の合成手法の開発を目的としてマグネトロンスパッタリング法とポストアニーリングを併用することにより銅基板上へのBN薄膜作製を行った.(著者抄録)

シソーラス用語： 窒化ホウ素 ,  層 ,  *物理蒸着 ,  安定性 ,  化合物半導体 ,  バンドギャップ ,  絶縁体 ,  固体素子 ,  化学蒸着 ,  有害ガス ,  爆発性 ,  化学合成 ,  マグネトロンスパッタリング ,  焼なまし ,  基板 ,  製造 ,  ワイドバンドギャップ ,  化学的安定性 ,  原子層 ,  合成法 ,  銅基板 ,  *薄膜作製 ,  *六方晶窒化ホウ素 ,  ワイドギャップ半導体 ,  電子素子
準シソーラス用語： ポストアニーリング法 ,  ワイドバンドギャップ半導体 ,  化学気相成長法 ,  電子デバイス ,  毒性ガス

分類 (8件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  窒素とその化合物  (YB02050S) ,  絶縁材料  (NA04030W) ,  結晶成長技術・装置  (BK13020B) ,  その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T) ,  気相めっき  (WC08022K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (4件)：

• H. Wang et al., Adv. Mater., 2015, 27, 8109-8115.
• X.W. Zhang et al., Small, 2015, 11, 13, 1542-1547.
• Z. Chen et al., Thin Solid Films, 2017, 90-95.
• F. Sevim et al., Korean J. Chem. Eng., 2006, 23, 5, 736-740.

タイトルに関連する用語 (3件)： 物理気相成長法 ,  窒化ホウ素 ,  薄膜