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J-GLOBAL ID：202002240331759274   整理番号：20A2380999

熱処理による六方晶窒化ホウ素-カプセル化MoTe_2単分子層における不均一広がりの減少【JST・京大機械翻訳】

Reduced Inhomogeneous Broadening in Hexagonal Boron Nitride-Encapsulated MoTe₂ Monolayers by Thermal Treatment

著者 (6件)： Hayashida Shunya (Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, Japan) ,  Saitoh Risa (Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, Japan) ,  Watanabe Kenji (Research Center for Functional Materials, National Institute for Materials Science, Ibaraki, Japan) ,  Taniguchi Takashi (International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science, Ibaraki, Japan) ,  Sawano Kentarou (Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, Japan) ,  Hoshi Yusuke (Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, Japan)
資料名： ACS Applied Electronic Materials  (ACS Applied Electronic Materials)
巻： 2  号： 9  ページ： 2739-2744  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5669A  ISSN： 2637-6113  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,ポリジメチルシロキサンを用いた標準的な乾式移動により作製した六方晶窒化ホウ素(hBN)カプセル化MoTe_2単分子層の熱処理による光ルミネセンス(PL)スペクトル変化を系統的に研究した。強いトリオンピークは,hBNカプセル化MoTe_2単分子層の20KでのPLスペクトルで顕著であり,1L-MoTe_2中の過剰キャリアが高密度を持つことを示した。熱処理に続いて,強い鋭い中性励起子ピークが,トリオンピーク強度と励起子PL線幅への不均一寄与の両方の減少により,低温でPLスペクトルに現れた。hBNカプセル化MoTe_2単分子層に対して,欠陥結合励起子ピーク強度は,トップhBNがTe原子の脱着防止のためのキャッピング層として作用するので,SiO_2担持MoTe_2単層とは対照的に,熱処理後でも増強されなかった。hBNカプセル化試料の熱処理は,結晶欠陥形成の抑制とヘテロ界面での残基の除去を同時に可能にし,MoTe_2への電荷移動をもたらすことを実証した。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 格子欠陥 ,  脱着 ,  低温 ,  電荷移動 ,  *熱処理 ,  光ルミネセンス ,  励起子 ,  *テルル ,  *単分子層 ,  スペクトル ,  過剰キャリア
準シソーラス用語： トリオン ,  *六方晶窒化ホウ素 ,  ヘテロ界面 ,  光ルミネセンススペクトル , 【Automatic Indexing@JST】

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分類 (3件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  励起子  (BM02120E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 熱処理 ,  六方晶窒化ホウ素 ,  カプセル化 ,  単分子層 ,  不均一広がり