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J-GLOBAL ID：202002246201321379   整理番号：20A0513987

注入ゲート導入型ノーマリオフFloating Gate GaN HEMTの動作原理と構造

Operation Principle and Structure of Normally-off Floating Gate GaN HEMT with Injection Gate

著者 (11件)： 南雲謙志 (東北大 大学院工学研究科) ,  木本大幾 (東北大 大学院工学研究科) ,  諏訪智之 (東北大 大学院 未来科学技術共同研究セ) ,  寺本章伸 (東北大 大学院 未来科学技術共同研究セ) ,  寺本章伸 (広島大 ナノデバイス・バイオ融合科研) ,  白田理一郎 (交通大) ,  高谷信一郎 (交通大) ,  黒田理人 (東北大 大学院工学研究科) ,  黒田理人 (東北大 大学院 未来科学技術共同研究セ) ,  須川成利 (東北大 大学院工学研究科) ,  須川成利 (東北大 大学院 未来科学技術共同研究セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 119  号： 408(ED2019 93-105)  ページ： 55-58  発行年： 2020年01月24日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ノーマリオフを達成する構造として従来のFloating Gate型に新たに電荷注入用の注入ゲートを設けた構造のGaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)について報告する.注入ゲートの導入によって従来Floating Gate型の課題であった電荷注入の際のゲート絶縁膜へのダメージを回避できるだけでなく,電荷注入によって閾値ばらつきを抑制できる.本稿では,この新規構造に関する回路モデル化,数値計算による構造設計によって本構造の有用性を示す.(著者抄録)

シソーラス用語： *HEMT ,  フローティングゲート ,  *キャリア注入 ,  原理 ,  回路特性 ,  ゲート絶縁膜 ,  構造設計
準シソーラス用語： *GaN HEMT ,  動作原理 ,  ノーマリーオフ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (7件)：

• M. Meneghini, G. Meneghesso, and E. Zanoni, Power GaN Devices. Cham: Springer International Publishing, 2017.
• Applied Materials Inc., ′′Power Struggle: As Mobile Systems Offer Additional MEMS Sensors, Power is a Primary Challenge,′′Nanochip Fab Solutions, vol. 8, no. 2, pp. 6-9, 2013.
• W. Saito, et al., ′′Recessed-Gate Structure Approach Toward Normally Electronics Applications,′′ IEEE, vol.53, no.2, pp.356-362 2006.
• Y. Uemoto, et al., ′′Gate injection transistor (GIT) - A normally-off A1GaN/GaN power transistor using conductivity modulation,′′ IEEE, vol.54, no.12, pp.3393-3399,2007.
• T. Kikkawa, et al., ′′600 V JEDEC-Qualified Highly Reliable GaN HEMTs on Si Substrates,′′ Technical Digest, IEDM, p2.6.1-2.6.4 2014.

タイトルに関連する用語 (5件)： 注入 ,  ゲート ,  GaN ,  HEMT ,  動作原理