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J-GLOBAL ID：202002246907307399   整理番号：20A0176196

ArF(193nm)露光中のArFCAレジストからの放出の研究

Study of Outgassing from the ArF CA Resist During ArF (193 nm) Exposure

著者 (5件)： Minami Hiroko (Litho Tech Japan Corp.) ,  Matsumoto Yoko (Litho Tech Japan Corp.) ,  Sekiguchi Atsushi (Litho Tech Japan Corp.) ,  Sekiguchi Atsushi (Ritsumeikan University) ,  Nishino Tomoki (Ritsumeikan University)
資料名： Journal of Photopolymer Science and Technology (Web)  (Journal of Photopolymer Science and Technology (Web))
巻： 32  号： 4  ページ： 671-676(J-STAGE)  発行年： 2019年 
JST資料番号： U2132A  ISSN： 1349-6336  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 近年,露光装置レンズの汚染を含むArF露光中のレジストから発生するアウトガスに関連する問題に関する報告が増加している。スキャナメーカーは,例えば露光中のレジストによって発生するアウトガスの判定基準を確立するといった対策を取り始めているようだ。近い将来において,レジストメーカーは出荷時にそれらの製品へアウトガスに関するドキュメントを添付することが要求される見込みである。以前の研究では,KrF(248nm)露光中のKrFレジストからのアウトガスを評価する方法を確立することを試みた。本論文では,筆者等がこれまでに構築したアウトガス分析技術に基づいて,PAGから派生する硫酸イオン(SO₄^2-)に焦点を当てて,ArF露光中のArF化学増幅レジストからのアウトガスを評価するためアプローチについて検討した。分析法としてイオンクロマトグラフィー(IC)を用いた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ガス放出 ,  アルゴン化合物 ,  フッ化物 ,  イオンクロマトグラフィー ,  *化学増幅レジスト ,  エキシマレーザ ,  光酸発生剤 ,  硫酸イオン ,  露光 ,  フレーム ,  発生気体分析 ,  用量 ,  汚染 ,  *光化学反応 ,  試料採取器
準シソーラス用語： フッ化アルゴン ,  ArF露光 ,  フッ化アルゴンエキシマレーザ ,  オープンフレーム露光 ,  発生ガス分析 ,  193nmレーザー ,  露光量

著者キーワード (5件)： 放出 ,  ArF曝露 ,  イオンクロマトグラフィー ,  オープンフレーム露光 ,  TPS-TF

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  光化学反応  (CB08020F)

物質索引 (1件)： トリフェニルスルホニウム・トリフラート

引用文献 (7件)：

• 1. N. Oguri, SEMI Technology Symposium Sec., 2 (2003) 41.
• 2. A. Sekiguchi, Y. Kono, and Y. Sensu, J. Photopolym. Sci. Technol., 16 (2003) 209.
• 3. A. Sekiguchi, Y. Kono, and Y. Hirai, J. Photopolym. Sci. Technol., 18 (2005) 543.
• 4. A. Sekiguchi, K. Ogawa, K. Tanabe, T. Matunobu, F. Oda, and Y. Morimoto, J. Photopolym. Sci. Technol., 22 (2009) 329.
• 5. T. Kozawa, K. Natsuda, K. Okamoto, and S. Tagawa, ISIR Osaka Univ., H19-003 (2006) 17.

タイトルに関連する用語 (5件)： ARF ,  露光 ,  レジスト ,  放出 ,  研究