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J-GLOBAL ID：200902221716566151   整理番号：09A0735600

ArF(193nm)露光を通したArFCAレジストからの気体放出研究

Study of the Outgassing from the ArF CA Resist during ArF (193nm) Exposure

著者 (6件)： SEKIGUCHI Atsushi (Litho Tech Japan Corp., Saitama, JPN) ,  OGAWA Kengo (Toray Res. Center, Inc., Shiga, JPN) ,  TANABE Kenji (Toray Res. Center, Inc., Shiga, JPN) ,  MATSUNOBE Takeshi (Toray Res. Center, Inc., Shiga, JPN) ,  ODA Fumihiko (Ushio Corp., Hyogo, JPN) ,  MORIMOTO Yukihiro (Ushio Corp., Hyogo, JPN)
資料名： Journal of Photopolymer Science and Technology  (Journal of Photopolymer Science and Technology)
巻： 22  号： 3  ページ： 329-334  発行年： 2009年 
JST資料番号： L0202A  ISSN： 0914-9244  CODEN： JSTEEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 近年,著者らはArF露光を通してレジストにより露光装置レンズに霧がかかるなどの問題や,気体放出発生件数が増加しているのを目にしている。伝えられるところによれば,例えばスキャナメーカーは,気体放出評価基準を確立することによって,対抗策を取り始めた。近い将来,レジストメーカーは,おそらく出荷時点で彼らの製品に気体放出の情報添付を要求されるであろう。以前,著者らは気体放出がKrF(248nm)露光を通して,KrFレジストにより発生する気体放出の評価法を検討した。この報文では現在利用可能な気体放出分析技術に基づく,ArF露光の間ArFによって化学的増幅状態で発生する気体放出を評価するための,著者らの方法の研究について説明する。大まかに言うと,気体放出のための分析項目は,2つのカテゴリに分けられる:PAGから誘導されるイオン性元素(負イオン)と保護基から誘導される揮発性有機物(VOC)である。イオンクロマトグラフィー(IC)は前者,後者のためのガスクロマトグラフィー(GC)に使用される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *エキシマレーザ ,  フッ化クリプトン ,  *リソグラフィー ,  露光 ,  *化学増幅レジスト ,  *ガス放出 ,  評価基準 ,  光酸発生剤 ,  揮発性有機化合物 ,  イオンクロマトグラフィー ,  ガスクロマトグラフィー

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： トリフェニルスルホニウム・トリフラート

引用文献 (8件)：

• N. Oguri, SEMI Technology Symposium Sec.2, 41(2003)
• A. Sekiguchi, M. Isono. Y. Kono and Y. Sensu, J. Photopol. Sci. Technol., 17, 107(2004)
• A. Sekiguchi, Y. Kono and Y. Hirai, J. Photopol. Sci. Technol., 18, 543(2005)
• A. Sekiguchi, Y. Kono F. Oda and Y. Morimoto, J. Photopol. Sci. Technol., 21, 69(2008)
• Current Instrumental Analysis for Colour Material and Polymers, Soft Science Inc., 30(2007)

タイトルに関連する用語 (5件)： ARF ,  露光 ,  レジスト ,  気体放出 ,  研究