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J-GLOBAL ID:202002248267593111   整理番号:20A0114484

化学溶液析出法による極薄GZO薄膜シード層上へのZnOナノロッドの成長と構造及び光学特性

Chemical Bath Deposition of ZnO Nanorods on Very Thin GZO Seed Layers and Their Structural and Optical Properties
著者 (7件):
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巻: 119  号: 304(LQE2019 76-101)  ページ: 15-20  発行年: 2019年11月14日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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イオンプレーティング法で堆積した膜厚10nmの極薄Ga添加ZnO(GZO)シード層上に化学溶液析出法(CBD法)を用いて垂直配向ZnOナノロッド(NRs)を成長した.成長時間3~300minにおいてNRsの平均幅おおよび平均長は,それぞれ60~200nmおよび250~980nmの範囲で変化していた.X線回折測定から全成長時間に亘ってNRsには圧縮性応力が作用していることが明らかになった.成長時間の増加に伴うバンド端(NBE)発光に対するオレンジ色(OB)発光の強度比(IOB/INBE)の低下が観察された.10nm厚GZOシード層上に成長したNRsに働く圧縮応力とIOB/INBEはともに200nm厚GZOシード層上に成長したNRsのものに比ベて大きかった.(著者抄録)
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分類 (1件):
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酸化物薄膜 
引用文献 (20件):

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