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J-GLOBAL ID：202002249806627900   整理番号：20A1568891

薄膜強誘電体のBarkhausen雑音解析【JST・京大機械翻訳】

Barkhausen noise analysis of thin film ferroelectrics

著者 (5件)： Yazawa Keisuke (School of Materials Engineering, Purdue University, West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  Ducharne Benjamin (Institut National des Sciences Appliquees de Lyon, Laboratoire Genie Electrique et Ferroelectricite LGEF, 8 rue de la Physique, 69621 Villeurbanne Cedex, France) ,  Uchida Hiroshi (Department of Materials and Life Sciences, Sophia University, Tokyo 102-8554, Japan) ,  Funakubo Hiroshi (Department of Materials Science and Engineering, School of Materials and Chemical Technology, Tokyo Institute of Technology, Tokyo 152-8550, Japan) ,  Blendell John E. (School of Materials Engineering, Purdue University, West Lafayette, Indiana 47907, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 117  号： 1  ページ： 012902-012902-4  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強誘電体薄膜における最初の直接Barkhausenノイズ測定を示した。Barkhausenノイズエネルギーループは測定したBarkhausenノイズから再構成され,古典的な強誘電性P対Eヒステリシスループに密接に関連している。粒界は,Barkhausenノイズ周波数を用いた計算領域壁ジャンプ距離に基づく多結晶薄膜における支配的な強誘電分域壁ピン止めサイトとして作用する。この技法は強誘電体スイッチング動力学の測定に有望であり,応用性能を改善するための物理的洞察を提供する。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *強誘電体 ,  結晶粒界 ,  スイッチング ,  *薄膜 ,  強誘電性 ,  再構成 ,  強誘電分域 ,  ピン止め
準シソーラス用語： ヒステリシスループ ,  多結晶薄膜 ,  強誘電体薄膜 ,  バルクハウゼンノイズ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 金属の磁区及び磁化過程  (BM06112D) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  磁区・磁化過程一般  (BM06111M)

タイトルに関連する用語 (4件)： 薄膜 ,  強誘電体 ,  Barkhausen雑音 ,  解析