文献

J-GLOBAL ID：201302264301970180   整理番号：13A1418832

炭素マスク層を用いたGaN有機金属気相エピタキシーの両極性同時成長

Double-Polarity Selective Area Growth of GaN Metal Organic Vapor Phase Epitaxy by Using Carbon Mask Layers

著者 (6件)： FUJITA Yohei (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  TAKANO Yasushi (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  INOUE Yoku (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  SUMIYA Masatomo (National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  FUKE Shunro (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  NAKANO Takayuki (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52  号： 8,Issue 2  ページ： 08JB26.1-08JB26.5  発行年： 2013年08月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非線形光学に窒化ガリウム(GaN)を応用するには,準位相整合のために結晶学的配向(極性)の周期的反転が要求される。有機金属気相エピタキシー(MOVPE)を用いて,GaNにおける極性パターンを設計するための新しいな処理法を開発し,これを用いて,周期極性反転GaN薄膜を調製する。GaNエピタキシャル成長プロセスにおいて,同時形成に炭素マスクを使い,選択領域の基板窒化及びマスク除去が実行された。両極性同時成長(P-SAG)は,窒化及びマスク除去条件を最適化することによって実現した。Ga極性/N極性領域の界面は,V/III比を4700に制御することによって鮮明なった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *極性 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  MOCVD ,  *反転 ,  *半導体薄膜 ,  表面電位 ,  形態 ,  表面構造 ,  電子顕微鏡観察 ,  走査電子顕微鏡 ,  極性反転 ,  両極性 ,  III-VI半導体 ,  ワイドギャップ半導体 ,  走査電子顕微鏡法 ,  表面形態 ,  構造
準シソーラス用語： III-VI族半導体 ,  ワイドバンドギャップ半導体 ,  走査電子顕微鏡観察 ,  表面モルフォロジー

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

引用文献 (20件)：

• 1) S.-H. Wei, X. Nie, I. G. Batyrev, and S. B. Zhang: Phys. Rev. B 67 (2003) 165209.
• 2) H. Yamashita, K. Fukui, S. Misawa, and S. Yoshida: J. Appl. Phys. 50 (1979) 896.
• 3) S. Nakamura and G. Fasol: The Blue Laser Diode (Springer, New York, 1997) p. 223.
• 4) S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku: Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 1417.
• 5) M. A. Khan, M. S. Shur, J. N. Kuznia, Q. Chen, J. Burm, and W. Schaff: Appl. Phys. Lett. 66 (1995) 1083.

タイトルに関連する用語 (6件)： 炭素 ,  マスク層 ,  GaN ,  有機金属気相エピタキシー ,  両極性 ,  成長