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J-GLOBAL ID：201702255509349200   整理番号：17A1220743

有機金属気相エピタキシによるGaN二極性選択領域成長における界面形成機構の解析

Analysis of interface formation mechanism in GaN double-polarity selective-area growth by metalorganic vapor phase epitaxy

著者 (5件)： KUZE Kenta (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  OSUMI Noriyuki (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  FUJITA Yohei (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  INOUE Yoku (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  NAKANO Takayuki (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 55  号： 5S  ページ： 05FA05.1-05FA05.6  発行年： 2016年05月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNの2つの非対称極性面上への選択領域成長による準位相整合(QPM)結晶の作製を調べた。炭素マスクを利用した一回成長によるGaN-QPM結晶の作製を試みた。GaN二極性選択領域成長(DP-SAG)について,炭素マスクでパターン形成したAl₂O₃テンプレートのいろいろな窒化時間の効果を調べた。DP-SAGプロセスの窒化条件を最適化し,この最適化DP-SAGプロセスによって作製した基板を評価した。さらに,GaN DP-SAGプロセスで作製したDP-GaNの界面形成機構を調べた。成長条件を最適化することにより鋭い界面をもつDP-GaNを作製できると決定した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOCVD ,  *窒化ガリウム ,  *極性 ,  *選択成長 ,  *界面 ,  位相整合 ,  結晶成長 ,  マスク ,  *基板 ,  *パターン形成 ,  窒化 ,  窒化アルミニウム ,  成長速度 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *アルミナ基板 ,  擬似位相整合 ,  改変
準シソーラス用語： *有機金属気相エピタキシー ,  準位相整合

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

引用文献 (36件)：

• S. Yoshida and J. Suzuki, Appl. Phys. 85, 7931 (1999).
• S. Yoshida and H. Ishii, Phys. Status Solidi A 188, 243 (2001).
• S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto, Appl. Phys. Lett. 64, 1687 (1994).
• S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 34, L1332 (1995).
• S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Jpn. J. Appl. Phys. 30, L1998 (1991).

タイトルに関連する用語 (6件)： 有機金属気相エピタキシ ,  GaN ,  性選択 ,  領域成長 ,  界面 ,  解析